Меню
Главная
Прикосновение космоса
Человек в космосе
Познаем вселенную
Космонавт
Из авиации в ракеты
Луноход
Первые полеты в космос
Баллистические ракеты
Тепло в космосе
Аэродром
Полёт человека
Ракеты
Кандидаты наса
Космическое будущее
Разработка двигателей
Сатурн-аполлон
Год вне земли
Старт
Подготовки космонавтов
Первые полеты в космос
Психология
Оборудование
Модель ракеты
|
Космонавтика Автогенераторные каскады преобразователей 310В D1 D2 +5В - М Ы D3 R2 + 12В*-Й 4 ) преобразователь TL494 Рис. 3.17. Схема узла комплексной защиты от перегрузки (вариант 3) мощности последовательно с первичной обмоткой силового импульсного трансформатора Т2, К вторичной обмотке трансформатора Т1 подключена выпрямительная схема с однополупериодным выпрямителем на диоде D4 и емкостным фильтром -конденсатором С4. На конденсаторе С4 выделяется положительное напряжение, пропорциональное длительности импульсов управления. К резистору R11 кроме сопротивления R10 присоединена цепь, состоящая из резисторов R4, R6 и диода D6. Параметры резисторов R4 и R6 подобраны так, чтобы колебания напряжения на конденсаторе С4 не влияли на уровень напряжения на резисторе R11. Анод диода D6 соединен с коллектором транзистора Q4 и через резистор R9 с базой транзистора Q3, являющегося первым ключевым элементом в цепи формирования сигнала блокировки микросхемы TL494. Прежде чем положительное напряжение на аноде D6 нарастет до уровня его отпирания, оно постепенно откроет транзистор Q3. Коллектор транзистора Q4 соединен через резистор R9 с базой Q3, поэтому изменение напряжения на коллекторе первого транзистора будет сразу передаваться на базу второго. Повышение напряжения в этой точке может быть следствием увеличения нагрузки вторичных цепей и расширением положительных импульсов управления. Постепенное открывание транзистора Q3 сопровождается понижением его коллекторного напряжения и потенциала базы Q4. Передача положительного напряжения происходит через открывающийся транзистор Q4 на базу Q3. Один транзистор подпитывает базу второго, процесс открывания обоих активных элементов развивается лавинообразно, и в итоге приводит к полному открыванию двух транзисторов. Через насыщенный транзистор Q4, диод D4 и резистор R11 протекает ток. Уровень напряжения, который устанавливается после открывания Q4 на резисторе R11, составляет примерно +3,9 В. Это напряжение превышает амплитуду пилообразного сигнала, действующего на инвертирующем входе внутреннего компаратора мертвой зоны DA1, входящего в состав микросхемы TL494. Происходит блокировка пилообразного напряжения на этом компараторе и остановка генерации импульсов на выходах микросхемы ШИМ преобразователя. Такая последовательность действий осуществляется при увеличении нагрузки источника питания, когда система управления стремится компенсировать падение выходных уровней напряжений, увеличивая интервал активного состояния силовых транзисторов. Цепи на элементах D1 - D3, R1 и R2 выполняют функции детекторов увеличения напряжений основных вторичных каналов выше установленного предела. К выходам каналов с напряжениями +5 и +12 В подключены пороговые схемы на стабилитронах D1 и D3 соответственно. В данном случае используется свойство стабилитронов пропускать J электрический ток, когда напряжение на них пре- вышает уровень стабилизации. Пока напряжения на стабилитронах будут ниже уровня стабилизации, ток через них протекать не будет и на положительной обкладке конденсатора С5 потенциал останется близким нулю. Диод D5 закрыт и никакого воздействия на базу транзистора Q3 не оказывается. Пороговый уровень включения защитного механизма по вторичному каналу +5 В составляет +6,3 В. Фиксация возрастания напряжения выше номинального значения по каналу +12 В должна производиться на уровне примерно +15 В. Напряжение стабилизации D1 составляет +5,1 В, а диода D3- i -ь14 В. Если одно из положительных напряжений вторичных каналов достигает своего предельного уровня, то происходит пробой соответствующего стабилитрона и напряжение на конденсаторе С5 начинает повышаться, открывая диод D5. Отпирание диода и появление положительного потенциала на базе Q3 происходит, когда на конденсаторе С5 напряжение достигает положительного уровня, равного 0,7-0,8 В. Если напряжение продолжав повышаться, то растет положительный уровень на базе Q3. Выполняются условия для переключения бистабильной транзисторной схемы на ключах Q3 и Q4. Каждый из транзисторов открывается, и на вывод 4 микросхемы TL494 подается положительное напряжение +3,9 В, появление которого вызывает прекращение работы импульсного преобразователя. Для устойчивой работы схемы защиты в базовую цепь транзистора Q3 включен керамический кон-1 денсатор Сб. Он обеспечивает фильтрацию крат-гковременных импульсных помех, которые могут привести к переключению транзисторной схемы. В начальный момент, когда преобразователь подключает схему управления к напряжению питания, благодаря наличию конденсатора С5 происходит задержка включения транзисторного каскада. Диод D5 применяется для развязки каскадов, вырабатывающих сигналы воздействия на базу Q3 при различных проявлениях отклонения вторичных напряжений от номинальных уровней. Во всех примерах схем защиты датчики и схемы I воздействия на элементы управления преобразователем строились на основе дискретных элементов. Ш следующих примерах приведены схемы, в которых в качестве первичных узлов, формирующих сигналы отключения ШИМ преобразователя, применяются интегральные компараторы. Первая из схем приведена на рис. 3.18 (вариант 4). На схеме (рис. 3.18) показаны узлы, рассмотренные нами и в предыдущих вариантах исполнения каскадов защиты. Схема осуществляет контроль за длительностью управляющих импульсов, за коротким замыканием по каналам с отрицательными номиналами напряжений, а также слежение за превышением установленного уровня напряжения в канале +5 В. Взаимодействие с микросхемой ШИМ управления - TL494 выполняется только по входу 4. Использование внутреннего усилителя DA4 для принудительного ограничения ширины импульсов управления не предусмотрено. В каскаде защиты используется два компаратора DA1 и DA2 из микросхемы типа LM339, выходы которых объединены по схеме монтажного ИЛИ . В установившемся режиме оба выхода имеют высокий уровень. Транзистор Q1 при этом закрыт, а напряжение на выводе TL494/4 определяется падением напряжения на резисторе R14, вызванным протеканием через него входного тока. Датчик контроля длительности импульсов управления (трансформатор Т1 и элементы D3, D4, R10, R7 и С1) введен в первичную цепь преобразователя. Первичная обмотка трансформатора Т1 включена в диагональ полумостового усилителя. Через эту обмотку протекает тот же ток, что и через первичную обмотку силового импульсного трансформатора Т2. Форма сигнала на Т1 полностью совпадает с импульсами управления преобразователем. Трехуровневый импульсный сигнал появляется на вторичной обмотке трансформатора Т1, Вторичная обмотка имеет три вывода. Со среднего вывода -12В Рис. 3.18. Схема комплексной защиты от перегрузки (вариант 4) снимается сигнальное напряжение. Крайние выводы обмотки подключены к катодам диодов D3 и D4 двухполупериодного выпрямителя. Аноды диодов соединены с общим проводом вторичной цепи. На среднем выводе обмотки W2 присутствуют импульсы положительной полярности. Частота следования импульсов в этой точке в два раза превышает частоту следования импульсов по каждому из выходов микросхемы TL494. Импульсное напряжение сглаживается RC фильтром на элементах R7 и С1. Уровень напряжения на конденсаторе С1 зависит от длительности импульсов управления преобразователем. Повышение нагрузки вторичных цепей автоматически приводит к росту этого напряжения. Конденсатор С1 подключен к одному из выводов резистора R4. Второй вывод резистора R4 через диод D1 подсоединен к шине вторичного напряжения канала +5 В. Резистивным делителем, образованным элементами R4 - R6, задается уровень на инвертирующем входе компаратора DA1/4, входящего в состав микросхемы типа LM339. Компаратор производит сравнение этого напряжения с потенциалом на DA1/5, установленным резистивным делителем на R8, R9. Делитель включен между выходом опорного напряжения, вырабатываемого микросхемой TL494 на выводе 4, и общим проводом вторичной цепи. Средняя точка делителя присоединена к неинвертирующему входу компаратора DA1 /5. На резисторе R4 происходит суммирование части вторичного напряжения от канала +5 В и напряжения поступающего от датчика ширины импульсов управления, на трансформаторе Т1. Сумма напряжений делится пропорционально величинам сопротивлений резисторов R5 и R6. Точка соединения этих резисторов подключена к входу компаратора DA1/4. При нормальном рабочем рейсиме источника питания уровень опорного напряжения на входе DA1/5 несколько больше, чем на входе DA1/4. Напряжение на выходе компаратора близко по значению к опорному. Повышение одного из напряжений, суммируемых на R4, вызовет пропорциональное возрастание потенциала на DA1/4. Когда напряжение на инвертирующем входе компаратора станет больше, чем на другом его входе, произойдет быстрое переключение компаратора. На выходе установится низкий уровень. Нагрузкой, соединенной с выходами компараторов, являются последовательно соединенные резисторы R11 и R12. К точке их соединения присоединена база транзистора Q1. Когда происходит переключение выхода компаратора от высокого уровня к низкому, база Q1 оказывается под открывающим потенциалом. Транзистор Q1 открывается, напряжение на его коллекторе повышается. Возрастающее напряжение с коллектора Q1 подается через диод D5 на вход компаратора DA2/8. Повышение напря жения на входе компаратора DA2/8 вызывает его переключение. С этого момента выходы обоих компараторов имеют низкие уровни. Высокий уровень напряжения на выводе TL494/4 приводит к отключению ШИМ преобразователя в соответствии с описанной выше последовательностью действий внугри TL494. Начальное переключение компаратора DA1 происходит либо при повыщении выходного уровня во вторичном канале +5 В, либо из-за увеличения нагрузки по основным вторичным каналам сверх установленного предела. Компаратор DA1 совмещает в себе функции вторичного датчика уровня напряжения в канале +5 В и длительности импульсов управления усилителем мощности. На втором компараторе микросхемы LM339 собран ключевой элемент, выполняющий слежение за состоянием каналов с отрицательными номиналами напряжений. В нормальном состоянии делителями напряжений на входах устанавливаются потенциалы, при которых выходной уровень напряжения компаратора - высокий (напряжение на DA2/9 больше, чем на DA2/8). Резисторами делителей, подключенных к входам компаратора DA2, выбирается порог чувствительности схемы. Малой разницей напряжений на входах обеспечивается быстрое переключение компаратора, но схема может быть слишком чувствительна к случайным кратковременным помехам. Исходная разность потенциалов по входам выбирается ~1 В. Опорный уровень на входе DA2/9 формируется из опорного напряжения, вырабатываемого на выходе TL494/14. Когда происходит КЗ по одному из контролируемых каналов, напряжения на входах компаратора перераспределяются, в результате знак разности их потенциалов изменяется. Происходит переключение компаратора с последующим открыванием транзистора Q1. Открытый Q1 представляет собой малое сопротивление, через которое анод диода D5 подключается к опорному напряжению. Диод D5 используется как элемент обратной связи между входом DA2/8 и выходом схемы защиты - коллектором Q1. Положительный потенциал от коллектора Q1 передается на инвертирующий вход компаратора DA2, еще более увеличивая разность потенциалов между его входами. Система защиты после переключения компаратора и транзистора Q1 приходит в равновесное состояние. Вывести систему защиты из состояния блокировки микросхемы TL494 можно только переключением первичного напряжения питания и выполнения полного цикла начальной инициализации всей схемы источника питания.
|