Таблица 10-5

III V

Электрофизические свойства полупроводниковых соединений Л В с кубической структурой

Соединение

Ш, вВ

dm dT 10* эВ/°С

,0- эВ/Па

0,05

AlAs

AlSb

1,9 1.6

-3,5 (О К) -4,5 (78--300 К)

-1,6 [100]

0,7 0,29

0,75

0,09

2,34 2,3

-5,5

-1,7 (lOOj

0,35

0,25

0,12

GaAs

1,52

-12,0(000] -8,7 (100]

0,36

0,33

0,067

GaSb

0,813

-3,5 -4,1

12 (ООО] -10 (100] 7,3 (Ш(

0.07

0,047

1,416 1,4

-4,6 -2,9

0,082

InAs

0,425

-2,2 -3,7

4,8 [ООО] 8,5 [ООО] 3,2 [Ш]

0,43 0,38

0.023

InSb

-2,8

-2,8 -2,9

15,5 [ООО] 14,2 [ООО]

0,45- 0,5

0,98 0,803

0,014

Для анализа различных экспериментальных данных часто пользуются скалярной величиной эффективной массы плотности состояний (тр и для дырок и электронов соответственно), которая в случае эллипсоидальных поверхностей равной энергии находится из соотношения

где TV -число эквивалентных минимумов (шесть минимумов для кремния и четыре для германия).

Для дырок в валентной зоне т будет определяться из соотношения

<р-[{КГ+{К2Г+НгГГ-

При расчетах вводятся, кроме того, понятия омической эффективной массы и циклотронной эффективной массы т. Об-

щие выражения для них приведены в [10-2].

Концентрация свободных носителей и их подвижность определяются по эффекту Холла и удельной проводимости.

На рис. 10-9 приведены зависимости удельной электрической проводимости германия и кремния от концентрации примесей и температуры.

Для практических расчетов можно использовать следующие выражения дрейфовых подвижностей электронов и -дырок:

для германия:

lin = 4,90-10 7-1,66 jjpj, jQQj < Г < 280 К; Ир = 1,05.10 при ЮОК < Г < 290 К!

для кремния lin = 4,0-10 Т- - при 300 К < Г < 400К; lip = 2,5-10* при 150 К < Г < 400К.

Список литературы

Параметры некоторых простых и двойных соединений приведены в табл. 10-3- 10-5. Параметры многих двойных и тройных соединений, обладающих полупроводниковыми свойствами, приведены в [10-4-10-8].

Список литературы

10-1. Батавии В. В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев.- М.; Советское радио, 1976. - 104 с.

10-2. Цидильковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках. - М.: Наука, 1972. - 640 с.

10-3. Киреев П. С. Физика полупроводников.- М.: Высшая школа, 1977. - 590 с.

10-4. Таблицы физических величии. Справоч-

ник под ред. и. 1976. - 1006 с.

к. Кикоина. - М.: Атомиздат,

10-5.

Полупроводники авс /Под

ред.

н. а. Горюновой, ю. а. Валова - М.: Советское радио, 1974. - 374 с.

10-6. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и нх применение. Сб. - М.: Мир, 1969.- 255 с

10-7. Бергер Л. И., Прочухан В. Д. Тройные алмазоподобные полупроводники - М.: Металлургия, 1968. - 152 с.

10-8. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов 1П и V групп/Пер. с англ. под ред. Б. И. Болтакса. - М.: Мир, 1967. - 478 с.

10-9. Полупроводниковые соединения а В/ /Пер. с англ. - М.; Металлургия, 1967. - 728 с.

Раздел И МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

СОДЕРЖАНИЕ

11-1. Назначение магнитных материалов. Общие сведения о параметрах и характеристиках ....... 325

11-2. Классификация магнитных материалов .......... 328

11-3. Магнитные материалы для работы в широком диапазоне изменения магнитных индукций на низких и повышенных частотах 333

11-4. Магнитные материалы для работы в

слабых магнитных нолях . . . 537

11-5. Магнитные материалы с прямоугольной петлей гистерезиса .... 341

11-6. Магнитно-мягкие материалы специального назначения..... 344

11-7. Магнитные материалы для постоянных магнитов....... 346

П-8. Цеиы . ........ 350

Список литературы....... 35о

11-1. Н.\ЗНАЧЕНИЕ МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАРАМЕТРАХ И ХАРАКТЕРИСТИКАХ

Магнитные материалы получают в технике все более широкое применение. В основном они играют роль концентраторов, проводников и источников магнитного потока. Магнитные материалы являются основой современных генераторов и двигателей, трансформаторов, различных типов аппаратов и приборов автоматики, вычислительной и измерительной техники, электромагнитов и дросселей, постоянных магнитов и т. д.

В общем случае все магнитные материалы принято делить на две большие группы: магнитно-мягкие, используемые в основном как проводники магнитного потока; магнитно-твердые, используемые как источники магнитного поля.

Необходимые характеристики магнитных материалов определяются в процессе перемагничивання, описываемого при цик-

лическом изменении магнитного поля в координатах магнитной индукции В (намагниченности М) и напряженности поля Н петлей гистерезиса (рис. 11-1). При этом связь магнитной индукции, намагниченности и напряженности поля выражается соотношением

В=11{Н + М),

где Ло=4я-10- Гн/м-магнитная постоянная.

По петле магнитного гистерезиса определяются основные параметры магнитных материалов: индукция насыщения В максимальная напряженность поля Нт, остаточная индукция Вт, коэрцитивная сила Не-Площадь, заключенная внутри петли магнитного гистерезиса, является мерой энергии, преобразованной в тепло при перемагничивании. Энергия, затраченная на перемагничивание I объема магнитного материала, определяется по формуле

Кривая В (Я) может быть преобразована в кривую М{Н). Поэтому, как видно из