Таблица 15-3

Силовые тиристоры

Т112-10 ТИ2.16 ТЦ2-25 Т112-32 T132-40

T132-S0, ТБ151-50 Т142-63, ТБ151-63 Т142-80, ТБ161-80 Т161-100, ТБ161-100 Т161-125

Т161-160, ТБ161-160 Т171-200, ТБ-171-200 ТБ133-200

Т171-250, ТБ133-250 Т133-320, ТБ143-320 Т133-400

Т143-400, ТБ143-400 Т143-600

Т153-630, ТБ153.630 Т143-630 ТБ153-800 Т253-1000

0,15 0,20 0,35 0,38 0,75 0,8 (1)

1.2 Ь-Л) 1.35 (2,2) 2 (2,5) 2,5

3.3 (4)

6 (5,5) 6

14 (10)

12 12

3 3 5 5

6 (20) 6 (20) 6 (30) 15 (30)

15 (40) 30 (40)

30 (40) 35 (SO)

SO (60) 30

50 (70) 30 70 70

0,007 0,007 0,012 0,012 0,027

0,027 (0,18) 0,053 (0,18) 0.053 (0,29) 0,29 0,29

0,29 (0,51) 0,56 (0,51) 0,21

0,56 (0,21) 0.2 (0,28) 0,2

0.29 (0,28) 0,29

0,61 (0,55) 0,29 0,55 0,61

1,85

0,72

0,7 (0,32) 0,4 (0,32) 0,15

0,15 (0,2) 0,15

0,15 (0,12) 0,1 (0,12) 0,08

0,1 (0,08) 0,045 (0,05) 0,045

0,034 (0,05) 0,034

0,026 (0,03) 0,034 0,03 0,024

* TSM -ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии: rrm -повторяющийся импульсный обратный ток; М -масса; -тепловое сопротивление структура - корпус.

Примечания: 1. ТБ - быстродействующие тиристоры (при расхождении данные приведены в скобках). i

2. Средний ток в открытом состоянии TAV содержится в марке прибора. Температура корпуса 7р=85°С и температура структуры rj=125°C для всех приборов. Импульсное прямое напряжение в открытом состоянии f гМ-бб-РЗб В для серии Т до 250 А, 1,75-2,1 В для 320-1000 А, 1,75-2,4 В для серии ТБ. Повторяющееся импульсное обратное напряжение fy/jAf и повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии £/£)дд1 = 100-1200 В для T1I2-10- Т142-80. 300-1600 В для Т161-100-Т171-820. 900-2000 В для Т133-320, 400-1600 В для Т133-400 и Т143-500, 1300-2400 В для Т153-630, 400-1200 В для Т143-630. 1000-1800 В для Т253-1000. 700- 1200 В для серии ТБ. (duq ш) it =3й-¥1т В/мкс, но Т133-320, Т133-400. Т153-630 и Т253-1000 могут иметь до 2500 В/мкс. (йг А/мкс для Т112-10-Т142-80. 20-400 А/мкс для Т161-100-Т171-320. 700-1200 А/мкс для серк:ч ТБ. Отпирающее напряжение иа управляющем электроде fCT=2.2-4 В для всех тиристоров. Время выключения по основной цепи < = 16-?63 мкс для всех ТБ. Время включения по управляющему электроду 2-3,5 мкс для всех ТБ.

3. Тиристоры Т133, Т143, Т153, Т2.53. ТБ133, ТБ143 и ТБ153 имеют таблеточную конструкцию.

Масса 0,33 кг для тиристоров до 160 А и 0,56 кг для 200 и 250 А. Время выключения по основной цепи 70--250 мкс.

15-4. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

проводимость. Неосновные же носители, приблизившись к р-п переходу, увлекаются его полем и перемещаются в другую область полупроводника, где оказываются основными. Таким образом, в результате ос-

Вентильные фотоэлементы и фотодиоды

В отличие от фоторезисторов (см. § 3-1), способных изменять ток в цепи независимого источника электрической энергии, вентильные фотоэлементы и фотодиоды сами создают ЭДС, зависящую от освещенности. Действие этих приборов основано на фотогальваническом эффекте, который в присутствии р-п перехода приводит к неравномерному распределению по объему полупроводника генерируемых светом электронов и дырок. Поглощение кванта световой энергии сопровождается одновременным появлением пары электрона и дырки. Носители заряда, которые являются основными в данной области полупроводника, не могут преодолеть потенциальный барьер р-п перехода и увеличивают ее

Рис. 15-22. Схема включения фотодиода.

вещения полупроводника с р-п переходом возрастает концентрация электронов в п-области и дырок в р-о6ласти, что и приводит к появлению фото-ЭДС. Схема включения фотодиода приведена на рис. 15-22.

Фототранзисторы

Биполярный фототранзистор имеет структуру, аналогичную структуре обычного биполярного транзистора, но конструктивно

выполняется так, что область базы, проецирующаяся на коллекторный р-п переход, может быть освещена со стороны, на которой расположен эмиттер (рис. 15-23, а)..

Рис. 15-23. Структура (а) и схематическое изображение (б) биполярного фототраи-зистора.

Такой прибор эквивалентен обычному биполярному транзистору, между выводами коллектора и базы которого подключен фотодиод (рис. 14-23,6). Ток фотодиода оказывается током базы биполярного транзистора и создает в цепи коллектора этого транзистра усиленный в р раз ток.

Рис. 15-24. Структура полевого фототранзистора.

И - исток; С - сток; 3 - затвор, являющийся выводом от подложки.

Полевой фототранзистор представляет собой полевой транзистор со встроенным каналом на полупроводниковой подложке с противоположным типом электропроводности (рис. 15-24), у которого отсутствует основной затвор, а лежащая на открытой поверхности область канала доступна для освещения.

Оптроны

Оптрон (оптопара) - прибор, внутри которого происходит преобразование электрического сигнала в оптический и обратно. На внешних выводах этого прибора мы имеем лишь электрические сигналы в чистом виде.

Излучающие свет твердотельные приборы можно разделить на две группы источников: когерентного и некогерентного света. К первой группе относятся полупроводниковые лазеры (полупроводниковые квантовые генераторы), ко второй - свето-излучающие диоды (см. § 3-1).

15-5. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы подразделяются на

Функции, выполняемые интегральными микросхемами

Буквенное обозначение

по ГОСТ 18682-72

Генераторы

Гармонических сигналов

Прямоугольных сигналов

Линейно-изменяющихся сигналов

Сигналов специальной формы

Шума

Прочие

Детекторы

Амплитудные

Импульсные

Частотные

Фазовые

Прочие

Коммутаторы и ключи

Тока

Напряжения Прочие

Ключ транзисторный

Ключ диодный

Логические элементы

Элемент И Элемент ИЛИ Элемент НЕ Элемент К-ИЛН Элемент И-НЕ,

элемент ИЛИ-НН Элемент

И-ИЛИ-НЕ Элемент И-

ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ Элемент

ИЛИ-НЕ/ИЛИ Элемент ИЛИ-

Расширители Элемент И-НЕ Прочие

Модуляторы

Амплитудные

Частотные

Фазовые

Импульсные

Прочие

Преобразоеатели

Частотные Фазовые Длительности Напряжения Мощности Уровня (согласо-вателн)

Формы сигнала Код - аналог Аналог - код Код - код Прочие

Источники вторичного электропитания

Выпрямители

Преобразователи

Стабилизаторы

напряжения

Стабилизаторы

тока

Прочие

ГЛ ГФ

гм гп

КТ КН КП

ЛИ ЛЛ

лн лс

ЛБ ЛР

лк лк

ПС ПФ

ПН ПМ ПУ

ЕВ ЕМ ЕН

Продолжение табл. 15-4

Функции, выполняемые интегральными микросхемами

Буквенное обозначение

по ГОСТ 18682-73

Схемы задержки

Пассивные

Активные

Прочие

Схемы селекции и сравнения

Амплитудные (уровня сигнала) Временные Частотные Фазовые Прочие

Триггеры

JK-типа RS-типа D-типа Т-типа

Динамические Шмитта Комбинированные (DT. RST и др.) Прочие

Усилители

Высокой частоты Промежуточной частоты

Низкой частоты Импульсных саг-налов

Повторители Считывания и воспроизведения Индикации Постоянного тока Синусоидальных сигналов

Видеоусилители Операционные и дифференциальные Прочие

Фильтры

Верхних частот Нижних частот Полосовые Режекториые Прочие

Элементы запоминающих устройств

Матрицы-накопители оперативных запоминающих устройств

Матрицы-накопители постоянных запоминающих устройств

Матрицы-нако-пнтели оперативных запоминающих устройств со схемами управления

Матрицы-накопители постоянных запоминающих устройств со схемами управления

Элементы памяти

Матрицы разиого назначения

Прочие

БМ БР БП

СВ СС СФ СП

ТВ TP ТМ

УВ УР

УН УИ

УЕ УЛ

УМ УТ

ФВ ФН ФЕ

принятое до введения

гост

СВ СС СФ

УИ УЭ

УТ УС

ФВ ФН ФП ФС

ЯП ям

Функции, выполняемые интегральными микросхемами

Буквенное обозначение

по ГОСТ 18682-73

принятое до введения ГОСТ

Элементы арифметических и дискретных устройств

Регистры Сумматоры Полусумматоры Счетчики Шифраторы Дешифраторы Комбинированные Прочие

Многофункциональные МС

Ана.чоговые Цифровые Комбинированные Прочие

Микросборки, наборы элементов

Диодов

Транзисторов

Резисторов

Конденсаторов

Комбинированные

Прочие

ИР ИМ ИЛ ИЕ ИВ ИД

ХА ХЛ ХК ХП

HP НЕ НК НП

ИЛ ИЕ ИШ

й§ ИП

ЖА ЖЛ

НД НТ НС НЕ НК

три группы, которым присвоены следующие обозначения: 1; 5; 7 - полупроводниковые; 2; 4; 6; - гибридные; 3 -прочие (пленочные, вакуумные, керамические и т. д.).

Условное обозначение типа интегральной микросхемы состоит из четырех элементов:

первый элемент - цифра, указывающая конструктивно-технологическое исполнение микросхемы (полупроводниковая, гибридная) ;

второй элемент - две цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии микросхем (от 00 до 99);

третий элемент - две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхемы согласно табл. 15-4;

четвертый элемент - порядковый номер разработки микросхемы по функциональному признаку в данной серии.

Первый совместно со вторым элементом указывает номер серии микросхем. В обозначениях конструктивно-технологических серий, разработанных до июля 1974 г., первая из трех цифр стоит в начале обозначения типа, а вторая и третья-после буквенного индекса; буквенные обозначения функционального назначения микросхем этих серий приведены в крайней правой графе табл. 15-6.

Пример 1. Обозначение типа полупроводниковой логической микросхемы И-НЕ/И,ЛИ-НЕ с порядковым номером разработки серии 21 и номером в серии по функциональному признаку 1 согласно ГОСТ: 121ЛБ1.