Меню
Главная
Прикосновение космоса
Человек в космосе
Познаем вселенную
Космонавт
Из авиации в ракеты
Луноход
Первые полеты в космос
Баллистические ракеты
Тепло в космосе
Аэродром
Полёт человека
Ракеты
Кандидаты наса
Космическое будущее
Разработка двигателей
Сатурн-аполлон
Год вне земли
Старт
Подготовки космонавтов
Первые полеты в космос
Психология
Оборудование
Модель ракеты
|
Космонавтика Электроизоляционные конструкции и изоляторы Здесь - J ~ плотность тока проводимости; dDldt=Jcm -- плотность тока смещения; v -УДельная проводимость среды; Уполн - плотность полного тока. Истоки поля: div==0 и divZ? = p, причем В = р,о {ff + D = вЕ + Р и по закону сохранения заряда divy = - Для линейной изотропной среды В = Иг ИдЯ; D = er bJE; Totff = yE + SrSodE/dt; rotE~- [If Ио дН /dt. Граничные условия На границе двух сред (/ и 2) Bm=Bin, H2t=Hit\ Ezt = Elf, Dm - Difi = o; J2п полк = Jm поли- Потенциалы Скалярный (элисгрический) ф и векторный (магнитный) А потенциалы электромагнитного поля определяются уравнениями rot А = S и - grad = Е+ dAldt. Если выбрать уравнение связи где с=1/-/ееор,гр,о. то для векторного и скалярного потенциалов получаются волновые уравнения: с2 е/? в этих уравнениях плотность тока J и заряд р связаны законом сохранения заряда, т. е. не могут задаваться независимо. После решения одного из уравнений при заданных граничных и начальных условиях вторая величина определяется из уравнения связи. Магнитная индукция и напряженность электрического поля находятся после выполнения простых операций: В = rot А и Е = - dAldt - grad ф. Уравнения Максвелла в комплексной форме Когда электромагнитное поле изменяется синусоидально, уравнения Максвелла могут быть записаны в компле1ссной форме: rot Н = уЁ -i- jmr SoE; rot£ = -/миИо; divB = 0; divD = p. Определение потерь. Теорема Умова - Пойнтинга Потери в среде объемом V с удельной проводимостью у по закону Джоуля-.Ленца Р =jJEdV= \yEdV. Во многих случаях потери проще вычисляются по теореме Умова-Пойнтинга - § (ЕХИ) rfS=P -f (dWJdi + dW,/dt), где ЕХНП - вектор Пойнтинга, равный численно потоку элемромагнитной энергии, проходящей через единичную поверхность в 1 с (мощность). Левая часть равенства - поток мощности, входящий в объем V, ограниченный поверхностью S. Второе слагаемое правой части-изменение энергии электрического и магнитного полей в объеме V. В комплексной форме где Ёт, tim-комплексные амплитуды на-пряженностей, и - фШ5 =P-f + /(О здесь Р - действительная часть потока вектора Пойнтинга. Литература [4 1, 4-2, 4-4 - 4-6, 4-47, 4-48, 4-51-4-53]. 4-9. СОПРОТИВЛЕНИЕ, ЕМКОСТЬ, ИНДУКТИВНОСТЬ Сопротивление проводника Сопротивление проводника. Ом, имеющего постоянное сечение S, м, длиной I, м, г = IlyS, где Y ~ удельная проводимость, См/м. Емкость конденсаторов и проводов Емкость плоского конденсатора, Ф, состоящего из п пластин, C = (n-l)8rEoS/d, где 5 - площадь пластины, м; rf -расстояние между пластинами, м; во - в Ф/м. Емкость цилиндрического конденсатора, Ф (коаксиального кабеля). In {Ri/Rj) § 4-9] Сопротивление, емкость, индуктивность где I - длина конденсатора, м; Ri - радиус внутреннего электрода (жилы); R2 - радиус внешней обкладки (внутренний радиус оболочки); Ёо - в Ф/м. Емкость конденсатора с многослойным диэлектриком, Ф, плоского Ci, цилиндрического Сг. Ci = fe=i Rk-i где S -площадь пластины, м=; rf -толщина k-TO слоя диэлектрика, м; &rh - относительная диэлектрическая проницаемость k-ro слоя; п - число слоев; t - длина конденсатора, м; /?о - радиус внутреннего электрода; Ru Rz,Rh~i - радиусы граничных поверхностей между слоями; Rn - радиус внешней обкладки; ео - в Ф/м; fe=l,2,... п. Рис. 4-50. Емкость, Ф, двух параллельных цилиндров на единицу длины (рис. 4-50) Со = 2№г Ео/1п a-\-.Xi-Ri a-\-Rx-Xi. +R\-Rl 2s 14 . a-j-Rj - Xj a-i-X2--R2 s4rI~rI 2s Емкость, Ф, прямолинейного провода конечной длины и круглого сечения (считая, что второй электрод в бесконечности) гг 10- I -0,307-0,1775/1п - 0,5Б21п -у с погрешностью менее 1% при l/r>lO; здесь / - длина провода, м; г - радиус поперечного сечения, м. Если допустима меньшая точность, то можно принять е,-10- / С = 18 [In (2l/r) - 1] примечание. Емкость уединенного проводника равна отношению заряда проводника к его потенциалу в предположении, что все другие проводники бесконечно удалены. Рис. 4-51. Емкость кольца, Ф (рис. 4-51; считая, что второй электрод в бесконечности), IQ-uR С = с погрешностью менее здесь R - радиус кольца, м; провода, м. 9 In (8/?/го) 2% при /?/Го>10; Го - радиус Метод электростатической аналогии Сопротивление между электродами в проводящей среде рассчитывается методом электростатической аналогии по формулам емкости между те.ми же электродами, помещенными в диэлектрическую среду: г = Ёг Во/уС, где г - в Ом; С - емкость между электродами, Ф; Y - удельная проводимость среды, См/м; е,- относительная диаэлектри-ческая проницаемость диэлектрика; ео - в Ф/м. Пример. При известной емкости цилиндрического конденсатора сопротивление (в омах) между цилиндрическими коаксиальными электродами, помещенными в среду с проводимостью V, рассчитывается по формуле In Индуктивность и взаимная индуктивность проводов Индуктивность уединенного прямолинейного провода круглого сечения, Гн, L = 2-10- / /21 \ In - -0,75 , где / - длина провода, м; г - радиус поперечного сечения, м. Для коротких проводов L, Гн: In- --+ Z, = 2.10- / 128г 45зх/ Взаимная индуктивность, Гн, двух прямолинейных проводов одинаковой длины / (рис. 4-52) М = 2п-10-Чк, где i-B м; k - коэффициент (рис. 4-53). Рнс. 4-52. . Индуктивность соленоида (бесконечно тонкой катушки) и однослойной катушки, Гн (рис. 4-57,0!), Z. = 2-10- wm, где ш -число витков катушки; k - коэффициент (рис. 4-57, б); I и R - в м. Если /10., то с погрешностью не более 57о 2/?шг-10- ~ 0.44 +г/2/? о 0,2 0, 0,е 0,8 1,0 1,2 1,i- Рис. 4-53. о 0,2 0,t 0,6 0,8 1,0 Рис. 4-56. Индуктивность катушек Индуктивность кольца (рис. 4-51), Гн, при /? Ло L = 4я-10-/? 1п ~ - 1,75 j . В общем случае Z. = 4n-10-/? ,2 in 5-1,75-f о /8/? 1 \ где Я к Го - в м; L - в Гн. О 0,2 0,it0,6 0,8 1,0 Рис. 4-57.
Рис. 4-54. Рис. 4-55. Индуктивность кругового кольца прямоугольного сечения (рис. 4-54), Гн, / 8R \ . L = 4п-10- R I In -г- - 0,5 . где R, а к г - в ы. , Индуктивность плоской (дисковой) катушки, Гн (рнс. 4-55), Z. = 0,5-10-шЫ, где:й*-число витков катушки; d - средний диаметр, м; fe-коэффициент (рис. 4-56). LI iJ Рис. 4-58. Рис. 4-59. Индуктивность многослойной катушки, Гн (рис. 4-58), 0,32-10-4/?W 6R + 9l+l0d где толщина намотки d, R к I - вм;ш - число витков катушки. Если в знаменателе слагаемые одного порядка, то ошибка, даваемая формулой, не более 1%.
|