Космонавтика  Электроизоляционные конструкции и изоляторы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171

Здесь - J ~ плотность тока проводимости; dDldt=Jcm -- плотность тока смещения; v -УДельная проводимость среды; Уполн - плотность полного тока.

Истоки поля:

div==0 и divZ? = p, причем В = р,о {ff + D = вЕ + Р и по закону сохранения заряда divy = -

Для линейной изотропной среды В = Иг ИдЯ; D = er bJE; Totff = yE + SrSodE/dt; rotE~- [If Ио дН /dt.

Граничные условия

На границе двух сред (/ и 2) Bm=Bin, H2t=Hit\ Ezt = Elf, Dm - Difi = o; J2п полк = Jm поли-

Потенциалы

Скалярный (элисгрический) ф и векторный (магнитный) А потенциалы электромагнитного поля определяются уравнениями

rot А = S и - grad = Е+ dAldt.

Если выбрать уравнение связи

где с=1/-/ееор,гр,о. то для векторного и скалярного потенциалов получаются волновые уравнения:

с2 е/?

в этих уравнениях плотность тока J и заряд р связаны законом сохранения заряда, т. е. не могут задаваться независимо. После решения одного из уравнений при заданных граничных и начальных условиях вторая величина определяется из уравнения связи.

Магнитная индукция и напряженность электрического поля находятся после выполнения простых операций:

В = rot А и Е = - dAldt - grad ф.

Уравнения Максвелла в комплексной форме

Когда электромагнитное поле изменяется синусоидально, уравнения Максвелла могут быть записаны в компле1ссной форме:

rot Н = уЁ -i- jmr SoE;

rot£ = -/миИо; divB = 0; divD = p.

Определение потерь. Теорема Умова - Пойнтинга

Потери в среде объемом V с удельной проводимостью у по закону Джоуля-.Ленца

Р =jJEdV= \yEdV.

Во многих случаях потери проще вычисляются по теореме Умова-Пойнтинга

- § (ЕХИ) rfS=P -f (dWJdi + dW,/dt),

где ЕХНП - вектор Пойнтинга, равный численно потоку элемромагнитной энергии, проходящей через единичную поверхность в 1 с (мощность). Левая часть равенства - поток мощности, входящий в объем V, ограниченный поверхностью S. Второе слагаемое правой части-изменение энергии электрического и магнитного полей в объеме V.

В комплексной форме

где Ёт, tim-комплексные амплитуды на-пряженностей, и

- фШ5 =P-f

+ /(О

здесь Р - действительная часть потока вектора Пойнтинга.

Литература [4 1, 4-2, 4-4 - 4-6, 4-47, 4-48, 4-51-4-53].

4-9. СОПРОТИВЛЕНИЕ, ЕМКОСТЬ, ИНДУКТИВНОСТЬ

Сопротивление проводника

Сопротивление проводника. Ом, имеющего постоянное сечение S, м, длиной I, м,

г = IlyS,

где Y ~ удельная проводимость, См/м. Емкость конденсаторов и проводов

Емкость плоского конденсатора, Ф, состоящего из п пластин,

C = (n-l)8rEoS/d,

где 5 - площадь пластины, м; rf -расстояние между пластинами, м; во - в Ф/м.

Емкость цилиндрического конденсатора, Ф (коаксиального кабеля).

In {Ri/Rj)



§ 4-9]

Сопротивление, емкость, индуктивность

где I - длина конденсатора, м; Ri - радиус внутреннего электрода (жилы); R2 - радиус внешней обкладки (внутренний радиус оболочки); Ёо - в Ф/м.

Емкость конденсатора с многослойным диэлектриком, Ф, плоского Ci, цилиндрического Сг.

Ci =

fe=i

Rk-i

где S -площадь пластины, м=; rf -толщина k-TO слоя диэлектрика, м; &rh - относительная диэлектрическая проницаемость k-ro слоя; п - число слоев; t - длина конденсатора, м; /?о - радиус внутреннего электрода; Ru Rz,Rh~i - радиусы граничных поверхностей между слоями; Rn - радиус внешней обкладки; ео - в Ф/м; fe=l,2,... п.



Рис. 4-50.

Емкость, Ф, двух параллельных цилиндров на единицу длины (рис. 4-50)

Со = 2№г Ео/1п

a-\-.Xi-Ri a-\-Rx-Xi.

+R\-Rl 2s

14 .

a-j-Rj - Xj a-i-X2--R2

s4rI~rI

2s

Емкость, Ф, прямолинейного провода конечной длины и круглого сечения (считая, что второй электрод в бесконечности)

гг 10- I

-0,307-0,1775/1п

- 0,5Б21п -у

с погрешностью менее 1% при l/r>lO; здесь / - длина провода, м; г - радиус поперечного сечения, м.

Если допустима меньшая точность, то можно принять

е,-10- /

С =

18 [In (2l/r) - 1]

примечание. Емкость уединенного проводника равна отношению заряда проводника к его потенциалу в предположении, что все другие проводники бесконечно удалены.

Рис. 4-51.

Емкость кольца, Ф (рис. 4-51; считая, что второй электрод в бесконечности),

IQ-uR

С =

с погрешностью менее здесь R - радиус кольца, м; провода, м.

9 In (8/?/го)

2% при /?/Го>10; Го - радиус

Метод электростатической аналогии

Сопротивление между электродами в проводящей среде рассчитывается методом электростатической аналогии по формулам емкости между те.ми же электродами, помещенными в диэлектрическую среду:

г = Ёг Во/уС,

где г - в Ом; С - емкость между электродами, Ф; Y - удельная проводимость среды, См/м; е,- относительная диаэлектри-ческая проницаемость диэлектрика; ео - в Ф/м.

Пример. При известной емкости цилиндрического конденсатора сопротивление (в омах) между цилиндрическими коаксиальными электродами, помещенными в среду с проводимостью V, рассчитывается по формуле

In

Индуктивность и взаимная индуктивность проводов

Индуктивность уединенного прямолинейного провода круглого сечения, Гн,

L = 2-10- /

/21 \

In - -0,75 ,

где / - длина провода, м; г - радиус поперечного сечения, м.

Для коротких проводов L, Гн:

In- --+

Z, = 2.10- /

128г 45зх/



Взаимная индуктивность, Гн, двух прямолинейных проводов одинаковой длины / (рис. 4-52)

М = 2п-10-Чк, где i-B м; k - коэффициент (рис. 4-53).

Рнс. 4-52.

. Индуктивность соленоида (бесконечно тонкой катушки) и однослойной катушки, Гн (рис. 4-57,0!),

Z. = 2-10- wm,

где ш -число витков катушки; k - коэффициент (рис. 4-57, б); I и R - в м.

Если /10., то с погрешностью не более 57о

2/?шг-10-

~ 0.44 +г/2/?

о 0,2 0, 0,е 0,8 1,0 1,2 1,i-

Рис. 4-53.


о 0,2 0,t 0,6 0,8 1,0

Рис. 4-56.

Индуктивность катушек Индуктивность кольца (рис. 4-51), Гн,

при /? Ло

L = 4я-10-/? 1п ~ - 1,75 j .

В общем случае Z. = 4n-10-/? ,2

in 5-1,75-f

о /8/? 1 \

где Я к Го - в м; L - в Гн.

О 0,2 0,it0,6 0,8 1,0

Рис. 4-57.

i I

Рис. 4-54.

Рис. 4-55.

Индуктивность кругового кольца прямоугольного сечения (рис. 4-54), Гн,

/ 8R \

. L = 4п-10- R I In -г- - 0,5 .

где R, а к г - в ы.

, Индуктивность плоской (дисковой) катушки, Гн (рнс. 4-55),

Z. = 0,5-10-шЫ,

где:й*-число витков катушки; d - средний диаметр, м; fe-коэффициент (рис. 4-56).


LI iJ

Рис. 4-58.

Рис. 4-59.

Индуктивность многослойной катушки, Гн (рис. 4-58),

0,32-10-4/?W

6R + 9l+l0d

где толщина намотки d, R к I - вм;ш - число витков катушки. Если в знаменателе слагаемые одного порядка, то ошибка, даваемая формулой, не более 1%.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171