Рис 4 9. Схема записи информации в масочном постоянном запоминающем устройстве иа биполярных транзисторах

1м 4

И других алфавитов, арифметические знаки и цифры в различных форматах (5X7; 7X9) с разверткой знаков по горизонтали и вертикали, функции sin, cos и т. п. Предусмотрен выпуск масочных ПЗУ знакогенераторов, выполненных по международному коду № 2 (ГОСТ 15607-70), по кодовой таблице ДКОИ (ГОСТ 19768-70) и кодовой таблице КОИ-7Н2 (ГОСТ 13052-74). Масочные ПЗУ (ROM) включают программное обеспечение: редакторы текстов, ассемблеры и операционные системы для наиболее распространенных классов мнкроЭВ.М. Стандартные прошивки имеются в микросхемах К155РЕ21-К155РЕ24, К555РЕ4 (генераторы символов русских, латинских алфавитов, арифметических знаков и цифр); КР505РЕЗ (генераторы символов, функций sin и преобразователи кодов ДКОИ8, КОИ8); КР568РЕ!, КР568РЕ2, КР568РЕЗ (знакогенераторы и программное обеспечение микроЭВМ семейства Элсктроника-КЬ>); KPI610PE! (программное обеспечение микроЭВМ Искра-226 , микропроцессора серии 580). Такие ПЗУ строятся иа основе матриц диодов либо биполярных, либо AVOn-TpaiiancTopoB. Диоды включены в схемы ПЗУ в тех пересечениях матриц, которые соответствуют записи 1 и отсутствуют в тех местах, где должнь! быть записаны 0;>. Внешние цепи управления диодных ПЗУ очень просты. Так как диодные матрицы представляют собой элсдМеит с гальваническими связя.ми, на выходе появляются почти такие же постоянные уровни напряжения, какие подаются нл вход, и поэтому отпадает необходимость в выходном регистре для хранения информации. В масочных ПЗУ, построенных на основе биполярных транзисторов, 1 , записываются в те ЗЭ матрицы, где базы транзисторов присоединяются к входной линии. Базы транзисторов, соответствующих ячейкам .матрицы, в которых должны храниться нули, не подключаются к входным шинам (рис, 4.9).

Аналогичные ЗУ на МОП-структурах проще, чем ЗУ на биполярных элементах. Они представляют собой полные матрицы, в которых Ь) зап!!сывается при присоедииетгии затвора к входу схемы, при записи О затвор к входу не подключается Масочные ПЗУ отлича:отся высокой надежностью, но ие очель удобны потребителю, поскольку невозможно оперативно изменять информацию в ПЗУ без изготовления новой микросхемы.

Более удобны электрические программируемые ПЗУ (PROiVl), однако они дают возможность только однократной записи нужной информации у потребителя путем разрушения элементов структуры ПЗУ под действием приложенного электрического напряжения или тока. Разрушаемы:ии элементами структуры могут быть снецналь-

ные проводящие перемычки из металлической или поликремнисвой пленки, а также топкий слои Дэ1еятрика и.ии р-п переходы.

Применение однопрограммируемых ПЗУ в вычислитезьиой системе наиболее целесообразно в небольшом количестве. Они энергонезависимы, просты в организации и управлении. Практически все промышленные типы однопрограммируемых ПЗУ имеют байтовую (8 разрядов) или полубанговую (4 разрядов) организацию. Восьмиразрядная организация экономична и широко используется в микропроцессорных системах с байтовой обработкой данных. Программирование таких ПЗУ осуществляется на специальных устройствах-программаторах. Наиболее распространена серия микросхем ЗУ КР556, котооая постоянно расширяется. При эксплуатации однопрограммируемых ПЗУ и в процессе программирования имеются слу-ши восстановления пережженных перемычек при несоблюдении инструкции по программированию, изложенной в ТУ на микросхему.

Для большинства однопрограммируемых ПЗУ в инструкции предусмотрена электротермотренировка (ЭТТ), которая проводится чаще всего в течение 168 ч при повыщеиной температуре с подачей на микросхему определенного режи.ма. После этого осуществляется контроль записанной информации. ЭлекТротер.мотренировка позволяет обнаруживать пере.чычки, склонные к восстановлению до эксплуатации ПЗУ. Ес.ш в процессе контроля после ЭТТ обнаружена ошибка, допускается повторное программирование. Если ошибка обнаружена повторно, микросхема бракуется. Допускается проводить ЭТТ в составе аппаратуры. Наиболее универсальными являются перепрограммируемые (репрогра.мчируемые) ПЗУ-РПЗУ (RPRO.M), которые изготавливаются на основе ,МОП-структур и ЛИЗМОП (лавинная инжекцня зарядов). Е.мкость таких РПЗУ достигает 256К бит с организацией 32КХ8. Информация стирается с помощью УФ-облуче-ния кристалла Время выборки считывания таких РПЗУ 0,2, О,5 мкс. В накопителях РПЗУ используются специальные типы транзисторных структур, изменяющие свои характеристики при программировании РПЗУ, Это изменение характеристик н служит признаков хранящейся информации.

Успехи в технологии микросхем позволили создать новые элементы цифровой аппаратуры - ПЛ.М, которые нашли широкое применение в .;нкpoиpoцeccopI:ыx устройствах управления. Так, в состав серин микросхем КР556 включены ПЛЛ) РчР556РТ1 и КР556РТ2, выполняющие функции 16 входных переменных, 18 конъюнкций, 8 выходных функции. Время выборки ПЛ.Н 70 нс. Схема КР556РТ1 имеет огкрытып коллектор на выходе, а КР556РТ2 - три состояния.

4.4. Основные серяи микроскам запоминающих устройств и их функциональный состав

Как было показано выше, осчовиьш эле\1ентом матрнты ЗУ является ЗЭ, в качестве которого чаще всего применяется триггер. Однако электр!1ческие пара.мегры ЗУ зависят не только or свойств ЗЭ, но и от организации БИС памяти.

Основными параметрами микросхем ЗУ являются: емкость, измеряемая числом двоичных единиц информацщ! (бит), хранящихся

Тип мнкросхм

Технология

Емкость, (организация) , бит

S ч = g

Pill = ч = §

со г: С

К155РПЗ

КМ155РУ2 К500РУ145 500РУ148

КР531РУ8

КР531РУ9

К155РУ5 К500РУ41С К561РУ2.4 5Ь4РУ2А

КР185РУ9 132РУ1 КР132РУЗА КР132РУ4,\

КП4РУ6

К155РУ7

КМ185РУ7

К500РУ415А

КР565РУ2А

К1500РУ415

1604РУ1

KMi85PJ.8 КМ132РУоА КМ132РУ8А КМ132РУ9А 537РУ2А

КР537РУЗБ 537РУ13

537РУ14А

К541РУ1А

КР541РУ2А

КР132РУ6А

KMlSsPyiO КР.та7РУ8Л 537РУ8Л