Рис. 2.6. Базовые схемы быст. родействующей серии микро-схем ТТЛ:

а и-НЕ (ИС 130ЛА1, К131ЛАП; б -И-НЕ с большим коэффициентом разветвления по выходу (ИС 130ЛА6, К131ЛА6); в -расшири. тель по ИЛИ (ИС 130ЛД1, К131ЛД1)

Рис. 2.7. Базовые схемы микромощной серии микросхемы ТТЛ:

а И-НЕ/ИЛИ-НЕ (ИС 134ЛБ2); 6 - И-ИЛИ-НЕ (ИС 134ЛР1)

водников и предусматривать развязку между соседними платами уст ройства.

Рассмотрим передаточную характеристику (рнс. 2.9, о) И-НЕ, представленного иа рис. 2.4, а. При Ubxi = 0 (на один из эмиттеров транзистора VT1 подан потенциал общий ) переход оа-

X/ - хг - хз - л* -

1 z z V

VTif

Рис 2 8. Базовая схема ТТЛ-микросхем с диодами Шотки - элемент И-НЕ (ИС 530ЛА1, КР531ЛА1)

за-эмиттер транзистора VTl открыт, но образующийся при этом потенциал Ugyji = 0,8 В ие может открыть три р-п пере.хода: база-коллектор транзистора VT1, база-эмиттер транзистора VT2 и VT4 (для открывания этой цепи необходим потенциал примерно 3X0,6=1,8 8). Потенциал на базе транзистора VT4 близок к нулю, и транзистор VT4 закрыт. Потенциал на коллекторе VT2 н базе VT3,

7- тс

Зи,В о 0,5 1,0 1,5 2,0 Щ, В б)

Рис. 2.9. Передаточная характеристика элемента И-НЕ стандартной серии ТТЛ для / = 25° (о) и в диапазоне температур (б) при (7ип =

= 5, В, Краз=10

близкий к напряжению источника питания +5 В, открывает переход база-эмиттер транзистора VT3 и диода VD, вызывая ток Напряжение на коллекторе транзистора соответственно равно и (участок 1-2).

При увеличении Ux (на всех эмиттерных входах транзистора VT1) до значения порогового напряжения Unopi=0,8B (точка 2 на передаточной характеристике) транзистор VT2 начинает открываться, но транзистор VT4 еще закрыт, при дальнейшем увеличении Ubx до значения Unop2=l,25B транзистор VT2 открывается, а транзистор VT4 только начинает открываться (точка 3 иа передаточной характеристике).

Дальнейшее увеличение Ubx приводит к увеличению потенциала иа базе транзистора VT1 до 1,2 В. Этого вполне достаточно, чтобы открыть два перехода: база-коллектор транзистора VT1 и база- эмиттер транзистора VT2. Транзистор VT2 открывается, ток через зезистор R2 увеличивается, что вызывает уменьшение напряжения -KVT2 Увеличение тока через резистор R3 вызывает увеличение потенциала на базе транзистора VT4 и приводит к его открыванию. Открытый транзистор VT4 (участок 3-4 передаточной характеристики) шунтирует резистор R3, что резко увеличивает коэффициент передачи транзистора VT2 и вызывает дальнейшее уменьшение па-пряжения икуГ2 Однако некоторое время транзистор VT4 уже открыт, а транзистор VT3 еще не закрыт, что приводит к броску тока и увеличению мощности, потребляемой от источника питания. Ток потребления ограничивается при этом резистором R4 и объемными сопротивления.ми транзисторов VT3, VT4 и диода VD. Это так называемый ток короткого замыкания, который приводит к увеличению потребляемой мощности в динамическом режиме.

При дальнейшем увеличении Ubx транзисторы VT2 и VT4 переходят в режим насыщения (участок 4-5 передаточной характеристики, см. рис. 2.9, а). Потенциалы Uk;vx3 UK;yj4 соответственно равны 1,2 и 0,3 В. Их разности, равной 0,9 В, недостаточно, чтобы открыть переход база-эмиттер транзистора VT3 и переход диода VD. Наличие диода VD (см. рис. 2.4, а) обеспечивает смещение напряжения огкрывания транзистора VT3 и надежное закрывание его при изь,=0,3 В.

В реальных схемах ТТЛ стандартной серин (см. рис. 2.5, о), в отличие от упрощенной схемы И-НЕ (см. рис. 2.4, а), в базу выходного транзистора вместо резистора R3 включена корректирующая цепочка (КН), состоящая из резисторов R3 и R4 и транзистора VT3. Эта цепочка позволяет получить передаточную характеристику, по форме близкую к прямоугольной (см. штриховую кривую на рис. 2.9, о), и тем самым повысить помехозащищенность схемы в состоянии 1 по сравнению с помехозащищенностью схемы, представлен-иой иа рис. 2,4, а (uO >U; J .

Сопротивление корректирующей цепочки имеет меньшую, чем резистор R3 зависимость от температуры, что обеспечивает ряд особых свойств схемы. При повышенной температуре (125°С) время рассасывания для транзистора VT5 (см. рис. 2.5, а) мало, что способствует быстрому выключению схемы. Это, в свою очередь, уменьшает импульсный ток короткого замыкания (когда транзисторы VT4 и VT5 открыты одновременно), а значит, и динамическую мощность