А, ?/. 10

Рис. 6.2. Зависимость =ксялуа-тациоипой иптсисивио.-i \ отка-зов А, микросхем от ia. озеино-сти партий в состоянии uoci;n ки

/ 10- 10- т- 19- т-%

контроль, методика проведения которого выбирается таким образоч, чтобы все комплектующие изделия были подвергнуты испытаниям hi соответствие техническим условиям. Объем и условия ироведсиья испытаний для конкретных типов изделий устанавливают в зависимости от реального качества этих изделий. Испытания при входном контроле проводят по одному из маршрутов, приведенных в табл. 6.. Выбранный маршрут испытаний должен быть документирован. Но вые типы комплектующих изделий или комплектующие изделия нг вого поставщика подвергают испытаниям по наиболее жccткovy маршруту Ж- При иоявлснии новых видов дефектов в любой из маршрутов могут быть введены дополнительные виды Hcnbirannii, позволяющие выявить эти дефекты. Изменение времени элсктр,)-терыотрснировки (ЭТТ) в маршруте Ж, а также переход с одного маршрута на другой разрешается руководителем предприятия.

На рнс. 6.2 приведена статистическая закономерность между засоренностью партий микросхем до их монтажа в аппаратуру и ирс-гиознруемон интенсивностью отказов при эксплуатации. Заштрихс-ваиные участки определяют области, в которых имеется корреляц;.-оиная зависимость. Этой зависимостью можно пользоваться при принятии рещений об изменении маршрутов входного контроля. Пр переходе на выборочный контроль пе менее 10 % комплектующих изделий должны проверяться по маршруту Ж.

Комплектующие изделия, забракованные при проведении входного контроля, поступают в лаборатооию информативного анализа для определения причин их отказов. По результатам анализа принимается решение либо об изменении маршрута входного контроля, либо о разработке мероприятий у поставщика. Информативная система позволяет постоянно следить за эффективностью принимаемых поставщиком мероприятий по повышению качества и устранению конкретных причин отказов комплектующих изделий.

6.2.2. Отбраковочные испытания аппаратуры

В процессе изготовления аппаратуры все сборочные единицы, блоки и готовые изделия должны подвергаться отбраковочным испытаниям. В состав испытаний обязательно включают функциониро-

вание аппаратуры в динамическом режиме прн повышенной рабочей температуре.

В технологи iCCKOH документации должны Сыть определены контрольные точки съема ииформацин о работоспособности изделий. Все отбраковочные испытания (кроме контроля ОТК) проводит цех качества. Информация собирается со следующих операций: проверка функционирования наименьших сборочных единиц и блоков аппаратуры; проверка функционирования наименьших сборочных единиц и блоков при повышенной температуре после ЭТТ; проверка функционирования собранной аппаратуры до и после ЭТТ. Все забракованные изделия передают в лабораторию информативного анализа для определения причин отказов.

Инфop:aцию, полученную после проведения анализа, систематизируют и на ее основе подготавливают мероприятия, направленные либо на коррекцию устовий и объема испытаний на входном контроле, если причинами отказов являются комплектующие изделия, либо на изменение технологического процесса изготовления аппаратуры, если причинами отказов являются нарушения технологии.

Все забракованные изделия после установления причины отказов передают для ремонта в специально созданное подразделение. Устанавливается определенный регламент ремонта. Ремонту подле-щат сборочные единицы, если они составляют не более определенного процента (например, 10 %) отказавших единиц данного типа от суточного выпуска. Если отказ сборочных единиц одного типа превышает установленный процент от суточного выпуска, решение об их ремонте принимает руководитель предприятия. Аналогично устанавливают регламент и для восстановления блоков и аппаратуры.

6.3. Воздействие внешних факторов при производстве аппаратуры

в процессе изготовления аппаратуры микросхемы многократно подвергаются воздействию разных внешних факторов: механических, температурных, химических и электрических.

Механические усилия прикладываются к микросхемам при операциях комплектации, формовки и обрезки выводов, установки и приклеивания микросхем к печатной плате. Усилия, воздействующие на выводы и окружгюшую их изоляцию, могут нарушить гепметичпость корпуса. Температурные воздействия связаны с операциями лужения, пайки, демонтажа. При этпх операциях возможен перегрев элементов конструкции микросхем. Химические воздействия оказывают влияние на материал покрытия корпуса и маркировку микросхем при флюсовании, очистке печатных плат от остатков флюса, влагозащиге и демонтаже. Электрические воздействия связаны с разрядами статического электричества через микросхему. Эти воздействия имеют место при всех технологических операциях, сети не принять мер по уменьшению и отводу зарядов статического электричества из производственных помещений. Возможные виды отказов микросхем от различных технологических воздействий показаны в табл. 6.2.

30* 467

Табпица 62

Объект г о де ист ьия

Тсхиологическис операции Воздсйсгвующ! й Лактор

Вид возможных нарушений и откзоп

Механическое воздействие

Выводы микросхемы

Изолятор выводов, осио вание корпуса, гибкие со единения, кристалл или подложка

Покрытие выводов

Изолятор выводов, кристалл подложка, актив ные олеченты и гибкие выводы

Рихтовка, формовка и обрезка

Установка и приклейка микросхемы иа плату, демонтаж

Входной контроль, рих тонка, формовка и об резка

Растягивающее усилие, усилие прижатия вывода

Статическое усилие прижатия корпуса к плате

Усилие прижатия выво да

Теятературное воздействие

Лужение пайка, демонтаж, сушка

Перегрев вывода от при поя, повышепная темпе рат>ра

Растрескивание изотятора, вызывающее нарушение герметичности корпуса, пережатие, скручивание, излом выводов

Растрескивание изочя гора, вызывающее нарушение герметичности, деформация дна корпуса вызывающая растрескивание и обрыв гибких проводников разрушение чор-nycd

Вмятины и царапины иа выводах, при юдящие к коррозии

Растрсскинание изолятора, вызывающее нарушение герметичности, отслаивание подложки или кристалла (в случае их приклейки) от монтажной зоны корпуса, прн водящее к обрыву гибких выводов