Меню
Главная
Прикосновение космоса
Человек в космосе
Познаем вселенную
Космонавт
Из авиации в ракеты
Луноход
Первые полеты в космос
Баллистические ракеты
Тепло в космосе
Аэродром
Полёт человека
Ракеты
Кандидаты наса
Космическое будущее
Разработка двигателей
Сатурн-аполлон
Год вне земли
Старт
Подготовки космонавтов
Первые полеты в космос
Психология
Оборудование
Модель ракеты
|
Космонавтика Конструирование интегральных микросхем 0,t . 1,0 эдр> здp> / - 5- m , 250 R . on 0 ,0,1 , 1,0 W 80 0,ПФ fO,t 1,0 Vn,B-5fi -5,2 -4,8 в) 20 40 60 80 1 -С д) U ,B -2,2 -1,8-1,4 Рис. 2.18 Зависимости днпа.мических пара.ииров микросхем ЭСЛ от резистивиоч нагрузки (а), емкостной нагрузки (б), напряжения источника питания (в), напряжения смещения уровня (г) и температуры (J) Рассматриваемые серии микросхем ЭСЛ 100, К500 имеют идентичные электрические параметры и отличаются только функциональным составом, типом корпуса и условиями эксплуатации. В табл. 2,11 приведены значения эксплуатационных электрических параметров основного ЛЭ серий 100 и К500 в диапазоне температур Предельно допустимые режимы эксплуатации для серий ЭСЛ приведены ниже- Максимальное напряжение питания, В . Л\аксимальное напря.жение на входе, В Минимальное напряжение на входе, В . Максимальный выходной ток, мЛ . . . -7 (а течение 5 мс) -5,5 40 2.5.3. Некоторые особенности применения микросхем серий ЭСЛ Рассмотрим особенности применения микросхем ЭСЛ на примере серии 100. Как уже огмечалось, схемы ЭСЛ имеют отрицательное напряжение источника П1!тания Uiis=-5,2 85% и, как следс1и1(е, отрицательные напряжения логических уровней. Кроме того, лотиче-ские уровни схем ЭСЛ малы по абсолютному значению Up,(,= - 1 В и иых--1>65 В. Все это не позволяет непосредственно соединять Таблица 2.11
входы и выходы микросхем ЭСЛ с микросхемами ТТЛ или с микросхемами, выполненными на МОП-структурах, Для взаимной стыковки схем с различными по вел1{чине логическими уровнями на выходе следует применять специальные схе.мы преобразователей 100ПУ124, 100ПУ125. При монтаже аппаратуры на микросхемах серин 100 (кроме микросхем 100ЛП115, ЮОЛППб, 100ПУ;24) все неиспользованные входы и выходы оставляют свободными. Неиспользованные входы микросхем ЮОЛППб, 100ЛП116 должны быть подключены к источнику опорного напряжения (вывод 9 микросхемы 100ЛП115 и вывод 11 микросхемы 100ЛП116) или к напряжению источника питания Unn=-5,2 В±5 %. Неиспользованные входы микросхемы 100ПУ124 (рис. 16, табл, 2.9) подключают к источнику питания иип = 5,0 В±5 % через резистор с номиналом 1 кОм. К одному резистору допускается подключетше не более 20 неиспользованных входов. При необходимости подавать на входы нескольких микросхем постоянный сигнал О последний может быть получен от любой микросхемы серии 100, формирующей сигнал О при подключенных входах. Число нагрузок, которое можно присоединять к выходу такого элемента, не должно превышать 24. Рассмотренные микросхемы ЭСЛ допускают объединение их по Рис. 2.19. Схемы объединения микросхем ЭСЛ по выходам в МОНТАЖНОЕ ИЛИ (й) в МОНТАЖНОЕ И (б) и схемы объединения прямого и инверсного выходов (в) 1<> iR II Рнс 2 20 Схема передачи сшитлов от нескольких микросхем ЭСЛ по одной сбшей шине связи (а) и временные диаграммы (б) прямым п инверсным выходам в МОНТАЖНОЕ ИЛИ или МОНТАЖНОЕ И с коэффициентом объединения Коо вых4, а также объединение прямоговыхода с ичверсныч (рис. 2.19). Последний способ объединения позволяет принимать п передавать сигналы от нескольких э.тементов по одной обшей линии связи (рис. 2.20, а). Следует иметь в виду, что при увеличении числа объединений по выходу изменяются уровни выходного напряжения, что приводит к снижению по.мехоустойчивости микросхем. Кроме того, в схемах, объединенных в МОНТ.АЖНОЕ ИЛИ, при переключении хотя бы 0Д1ЮЙ микросхемы из состояния 1 в состояние О- на выходе объединенных схем появляется отрицательная помеха (рис. 2.20,6) которая может вызвать ложное срабатывание элемента-нагрузки Амплитуда и длительность помехи зависят от длины линии связи, соединяюшен элементы в МОНТАЖНОЕ ИЛИ. С учетом изложен ного рекомендуется объединение схем по выхода.м производить в пре делах одной платы и по возможности для микросхем, расположен ных рядом. Выход с платы с установленными на иен микросхемами рекомендуется брать от схемы, не имеющей обьединений по выходу в пределах платы. Как уже отмечалось, микросхемы ЭСЛ имеют довольно высокую нагрузочную способность (Крчз>10), что объясняется малым выходным сопротивлением эмнттерных повторителей, которыми снабжены
|