Космонавтика  Конструирование интегральных микросхем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 [ 34 ] 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

0,t . 1,0

эдр> здp>


/ - 5-

m , 250 R . on 0

,0,1 , 1,0


W 80 0,ПФ

fO,t 1,0


Vn,B-5fi -5,2 -4,8 в)


20 40 60 80 1 -С д)

U ,B -2,2 -1,8-1,4

Рис. 2.18 Зависимости днпа.мических пара.ииров микросхем ЭСЛ от резистивиоч нагрузки (а), емкостной нагрузки (б), напряжения источника питания (в), напряжения смещения уровня (г) и температуры (J)

Рассматриваемые серии микросхем ЭСЛ 100, К500 имеют идентичные электрические параметры и отличаются только функциональным составом, типом корпуса и условиями эксплуатации. В табл. 2,11 приведены значения эксплуатационных электрических параметров основного ЛЭ серий 100 и К500 в диапазоне температур Предельно допустимые режимы эксплуатации для серий ЭСЛ приведены ниже-

Максимальное напряжение питания, В .

Л\аксимальное напря.жение на входе, В Минимальное напряжение на входе, В . Максимальный выходной ток, мЛ . . .

-7 (а течение

5 мс)

-5,5 40

2.5.3. Некоторые особенности применения микросхем серий ЭСЛ

Рассмотрим особенности применения микросхем ЭСЛ на примере серии 100. Как уже огмечалось, схемы ЭСЛ имеют отрицательное напряжение источника П1!тания Uiis=-5,2 85% и, как следс1и1(е, отрицательные напряжения логических уровней. Кроме того, лотиче-ские уровни схем ЭСЛ малы по абсолютному значению Up,(,= - 1 В и иых--1>65 В. Все это не позволяет непосредственно соединять



Таблица 2.11

Значение

параметра

Темпера-

Пара.метр

минимальное

максн-мал ьиое

тура окружающей среды,

Входной ТОК 0 Igx мкА

Входной ток 1 .мкА

Выходное пороговое напряжение 1

т т1 тэ -bыx. пор

Выходное пороговое напряжение 0 Lt R

-tыx пер

-0,92 - 1,04

- 1,605

- 1,650

75 -10

75 - 10

Выходное напряжение 1 U,, В

-0,9 - 1,02

-0,72 -0,£6

75 - 10

Выходное напряжение 0 Ul, В

- 1,83 -1,88

- 1,625

- 1,67

75 - 10

Ток потребления 1пот, мА

Время задержки распространения при

вк Тюменин t здр, НС

Время задержки распространения при выключении tp, не

Коэффгщпент разветвления по выходу

Мощность потребления Рпот, мВт (н?

элемент ИЛИ-НЕ ИЛИ)

входы и выходы микросхем ЭСЛ с микросхемами ТТЛ или с микросхемами, выполненными на МОП-структурах, Для взаимной стыковки схем с различными по вел1{чине логическими уровнями на выходе следует применять специальные схе.мы преобразователей 100ПУ124, 100ПУ125. При монтаже аппаратуры на микросхемах серин 100 (кроме микросхем 100ЛП115, ЮОЛППб, 100ПУ;24) все неиспользованные входы и выходы оставляют свободными.

Неиспользованные входы микросхем ЮОЛППб, 100ЛП116 должны быть подключены к источнику опорного напряжения (вывод 9 микросхемы 100ЛП115 и вывод 11 микросхемы 100ЛП116) или к напряжению источника питания Unn=-5,2 В±5 %. Неиспользованные входы микросхемы 100ПУ124 (рис. 16, табл, 2.9) подключают к источнику питания иип = 5,0 В±5 % через резистор с номиналом 1 кОм. К одному резистору допускается подключетше не более 20 неиспользованных входов. При необходимости подавать на входы нескольких микросхем постоянный сигнал О последний может быть получен от любой микросхемы серии 100, формирующей сигнал О при подключенных входах. Число нагрузок, которое можно присоединять к выходу такого элемента, не должно превышать 24.

Рассмотренные микросхемы ЭСЛ допускают объединение их по



Рис. 2.19. Схемы объединения микросхем ЭСЛ по выходам в МОНТАЖНОЕ ИЛИ (й) в МОНТАЖНОЕ И (б) и схемы объединения прямого и инверсного выходов (в)

1<>

iR II


Рнс 2 20 Схема передачи сшитлов от нескольких микросхем ЭСЛ по одной сбшей шине связи (а) и временные диаграммы (б)

прямым п инверсным выходам в МОНТАЖНОЕ ИЛИ или МОНТАЖНОЕ И с коэффициентом объединения Коо вых4, а также объединение прямоговыхода с ичверсныч (рис. 2.19). Последний способ объединения позволяет принимать п передавать сигналы от нескольких э.тементов по одной обшей линии связи (рис. 2.20, а).

Следует иметь в виду, что при увеличении числа объединений по выходу изменяются уровни выходного напряжения, что приводит к снижению по.мехоустойчивости микросхем. Кроме того, в схемах, объединенных в МОНТ.АЖНОЕ ИЛИ, при переключении хотя бы 0Д1ЮЙ микросхемы из состояния 1 в состояние О- на выходе объединенных схем появляется отрицательная помеха (рис. 2.20,6) которая может вызвать ложное срабатывание элемента-нагрузки Амплитуда и длительность помехи зависят от длины линии связи, соединяюшен элементы в МОНТАЖНОЕ ИЛИ. С учетом изложен ного рекомендуется объединение схем по выхода.м производить в пре делах одной платы и по возможности для микросхем, расположен ных рядом. Выход с платы с установленными на иен микросхемами рекомендуется брать от схемы, не имеющей обьединений по выходу в пределах платы.

Как уже отмечалось, микросхемы ЭСЛ имеют довольно высокую нагрузочную способность (Крчз>10), что объясняется малым выходным сопротивлением эмнттерных повторителей, которыми снабжены



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 [ 34 ] 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165