вентили, и небольшими значениями входного тока (менее 265 мкА). В пределах одной платы нагрузочная способность возрастает до Крлз = 20, а для микросхем 100ЛЛ110, предназначенных для работы одновременно на три линии передачи, Краз=30. Выход триггерных схем рекомендуется нагружать не более чем на шесть входов микросхем-нагрузок. К выходу схем, объединенных в МОНТАЖНОЕ ИЛИ, рекомендуется подключать входы не более 16 ключей-нагрузок, при этом следует учитывать снижение уровня выходного напряжения и увеличение времени задержки распространения

При работе ЛЭ на резистор с номиналом Rh = 51 Ом (при Uc-. у= = -2 В) приращение задержки прн подключении одного вчода ИС-нагрузки составляет 0,1 не, а изменение длительности фронта выходного сигнала при увеличении нагрузки от 1 до 10 входов не превышает 0,5 не. Во всех случаях при определении допустимого числа входов, которые могут быть подключены к выходу микросхемы, необходимо учитывать нагрузку, подключае.мую к выходу внутри самой микросхемы. При непосредственной работе этементов друг на друга (по коротким линиям связи) в зависимости от числа нагрузок и требуемэго быстродействия в эмиттерных цепях выход[1ых повго-рителей могут использоваться резисторы различных номиналов, под-кючаемые к источникам напряжений U,in = -5,2 В либо к Ucm у= =-2,0 В

Совместное использование микросхем ЭСЛ и ТТЛ (рис 2.21) позволяет строить узлы специального назначения. На рис. 2.21, а приведена схема индикации, построенная на микросхемах 100ПУ125 (D1) (серия ЭСЛ) и 133Л.\7 (D2) (серия ТТЛ) с использованием в качестве индикатора лампы накаливания НСМ 6,3 = 20. Учитывая высокое быстродействие микросхем ЭСЛ, особое внимание следует обратить на выполнение линий связи между отдельными микросхемами, а также платами, узлами и блоками Ранее были рассмотрены микросхемы 100ЛП115 и ЮОЛППб, представляющие собой приемники парафазных сигналов с двухпроводной линии связи Однако передача информации между отдельными платами mohvot осуществляться и однофазными сигналами (рнс. 2.21,6). При поступленпи однофазного сигнала с выхода микросхемы серин 100 (D1 -D3) на один нз входов микросхемы 100ЛП115 (D5 - D7) или ЮОЛППб на второй вход должно подаваться опорное напряи;ение, вырабатываемое микросхемой ЮОЛППб (вывод 9) или 100ТПП6 (вывод 11), расположенной на плате, с которой передается сигнал (рис. 2.21,6), Один источник опорного напряжения на передающей плате (D4) может быть нагружен не более чем па 10 вхотоз Каждая микросхема 100ЛПП5 или ЮОЛППб мо.жет использоваться как исгочннк опорного напряжения (D4) при передачах за пределы платы и как приемник сигнала с линии связи (D5 -D7). Линия передачи опорного напряжения должна быть развязана на перетающем н приемном концах конденсатором емкостью не менее 1000 пФ.

В пределах одной платы рекомендуются три основных способа связи между элементами. Последовательный способ применяется при длине линии связи между ИС-источником сигнала и нагрузочным резистором не более 200 мм. Вдоль этой линии связи подключаются микросхемы-нагрузки. Рекомендуемая длина отвода линии связи - не более 30 мм. При лучевом способов от микросхемы-источника сигнала отходят лучевые линии длиной не более 70 мм, на конце которых подключаются микросхемы-нагрузки. Нагрузочный резистор подключается к одной из микросхем-нагрузок. Наконец, при сосре-

)nc/i е,5-го

HI A

-Br

/fl 680

Панель I i Панель SI

JlUHUfl

сбяза

Литя опоры

J L. 6)

Рис. 2 21. Некоторые схемы включения микросхемы ЭСЛ:

а - схема индлкации, 6 - схема передачи инфоршции между двумя платами устройства; в. г - последовательный и параллельный способы согласования лннии связи

доточенном способе связи от точки подсоединения нагрузочного резистора в конце линии связи дли.той 200 мм отходят линии связи длиной также 200 мм к микросхемам-нагрузкам.

Для исключения звонов на входе приемника сигнала информацию рекомендуется передавать по согласованной линии связи. На рис. 2.21, е, г приведены схемы реализации последовательного и параллельного способов согласования линии связи. Для линии связ.т с волновым сопротивлением р=50 Ом применяются резисторы с по-

Таблииа 2.12

миналами R,=43 Ом и R2 = 240 Ом (при последовательном согласовании) и Ri = 51 Ом (при параллельном согласовании). Допускается другой способ параллельного согласования (с помощью двух резисторов Ri и R2, подключаемых в конце линии) с использованием напряжения источника смещения уровня Ucm у = -5,2 В±5 %, к которому подключается резистор R1. Рекомендуемые номиналы резисторов R1 и R2 в зависимости от волнового сопротивления линии приведены в табл. 2.12.

2.6. Цифровые микросхемы на МОП-транзистерах

За последнее десятилетие широкое распространение получили микросхемы, основанные на полевых структурах. Эти структуры названы так потому, что их работа основана на регулировании уровня тока в приповерхностном слое полупроводникового материала за счет влияния поперечного электрического поля на проводимость канала, В цифровых микросхемах практическое применение получили полевые транзисторы с оксидной изоляцией, образующие структуру ме-та.тл - окисел - полупроводник (МОП), и транзисторы с комбинированной нитридно-оксидной изоляцией (МНОП)

Транзисторы .МОП делятся на два вида: с встроенными (леги-рованны.ми) и индуцируемыми каналами (рис. 2.22). В транзисторах последнего типа канал создается (индуцируется) под действием управляющего напряжения, подаваемого на затвор. С ростом этого напряжения канал обогащается носителями. В транзисторах с встро-етным каналом он создается технологическим путем. По типу проводимости полевые транзисторы делятся на транзисторы с каналами р- п п-типов

В отличие от биполярных в МОП-грапзисторах ток в канале

I Подлокна

Подложка 6)

-ft.

Рис. 2.22. Поперечное сечение МОП-структуры с индуцируемым {а) и встроенным {б) каналами

Рис. 2.23. Схемы инверторов на МОП-транзисторах с каналом р-типа (а), п типа (б) и на КМОП-транзисторах {в)