Меню
Главная
Прикосновение космоса
Человек в космосе
Познаем вселенную
Космонавт
Из авиации в ракеты
Луноход
Первые полеты в космос
Баллистические ракеты
Тепло в космосе
Аэродром
Полёт человека
Ракеты
Кандидаты наса
Космическое будущее
Разработка двигателей
Сатурн-аполлон
Год вне земли
Старт
Подготовки космонавтов
Первые полеты в космос
Психология
Оборудование
Модель ракеты
|
Космонавтика Схемы тестерных измерителей схемы тестерных измерителей В зависимости от типа конденсатора, его характеристик и диапазона частот реальный конденсатор может быть представлен различными эквивалентными схемами. В наиболее общем виде схемы реального конденсатора представлены на рис. 1-1, а. б. Эти схемы учитывают не только основную емкость конденсатора (проходную емкость), но и частичные емкости электродов и выводов на землю (экран), а также индуктивности и активные сопротивления выводов. Исследование приведенных схем в общем виде (ввиду их сложности) обычно не проводят, тем более, что в зависимости от условий включения, диапазона частот и емкости некоторыми элементами удается пренебречь и схемы значительно упрощаются. Так, например, упрощенные эквивалентные схемы для реального конденсатора с точки зрения потерь энергии при данной частоте приведены на рис. 1-2. Для последовательной схемы (рис. 1-2, а, в) тангенс угла потерь ig 8=г/Х=тСг. Для параллельной схемы (рис. 1-2, б, г) tgo = g/b = /(соС) = l/(i?coC). (1-1) Эти схемы отображают свойства одного и того же конденсатора лишь в том случае, когда будет выполняться следующее соотношение: г + l/(/coQ = \/(VR + /соС). (1-2) Из этого соотношения можно получить [1-5, 1-23] связь между элементами эквивалентных схем: /? = r(l + ctg2S) = rsec2S; г =tg8/(l + tgB); C, = C/(l-btgB) = C cosS; C = C(l-f tgS). При малых потерях в конденсаторе tgH l; r=Rigb; С = С. Иногда удобнее-характеризовать конденсатор по отношению /г (для схемы рис. 1-2, а) или bfg (для схемы рис. 1-2, б), тогда вычисляют добротность конденсатора: Q = l/(rcoC)=l/tg8. (1-4) (1-3) Последовательная схема лучше описывает тот случай, когда потери конденсатора преобладают в металлических частях, подводящих проводниках, в то время как параллельная схема относится к случаю преобладания потерь в диэлектрике. а> Гбх Цх i г г 2 Ла гвых Цых ГВых (7 + §ис. 1-1. Эквивалентные схемы конденсатора б) b = wC 4i- Рис. 1-2. Упрощенные схемы конденсатора Сан > Рис. 1-3. Эквивалентные схемы электролитического конденсатора Для электролитического конденсатора известна, например, схема, приведенная на рис. 1-3, а. При не очень высоких частотах оказывается возможным пренебречь LaH, -кат, Ras и /?кат и схема упрощается (рис. 1-3, б). Все данные этой схемы рассчитаны Л. И. Закгеймом [1-12]. Эквивалентная схема конденсатора, полученная для определенной частоты или некоторого диапазона частот, справед- лива лишь для этих частот и не может служить источником информации о поведении и свойствах конденсатора при других частотах. Это обстоятельство подтверждает необходимость тщательного изучения и измерения основных параметров конденсатора в широком диапазоне частот и температур. Анализ и изучение этих данных позволяют получить представление об эквивалентной схеме реального конденсатора в той или иной рабочей области частот. 1-2. Об эффективной емкости кондексатора Если включить конденсатор в цепь переменного тока частоты со и подать на него напряжение U, то величина тока /, протекающего через него, будет определяться значением z конденсатора, либо его проводимостью при данной частоте I=U/z = Uy, где 1/г/ = 2= 1/(соСзф). (1-5) Емкость, определяющую значение z конденсатора при данной частоте согласно (1-5), принято называть эффективной или действующей емкостью конденсатора, т. е. Сзф = 1/(со2) = г ш. (1-6) В том случае, если конденсатор описывается последовательной эквивалентной схемой (см. рис. 1-2, а), то Z = + 1/(аС,)2. Учитывая (1-4), получим z = 1 1 + tg8/(coC Подставив вместо z его значение из (1-6) и решив относительно Сэф, имеем Сзф = C,/1/T+TS. (1-7) Аналогично при параллельной схеме (см. рис. 1-2, б) Учитывая (1-1), получим из (1-6): = l/FTTgs. (1-8) Этот же результат может быть получен, если в (1-7) подставить значение Сг, найденное из (1-3). Если конденсатор описывается схемой рис. 1-1, а, то Z = /r+[l/(coQ)-coL,] (1-9) где Lc - индуктивность конденсатора, равная сумме всех индуктивностей, в том числе Lbx и 1въш (рис. 1-1, а), а г определяет суммарные потери, включающие Гвх и Гвых-
|