Уровни помехи, дБмкВ/МГц

Примечания. 1. ПРП - помехи, распространяющиеся по проводам; ПИ - помехи излучения. 2. Уровни ПРП измерены в выходной линии питания. 3. В первоисточнике, из которого автором аанмсгвована таблица, не были указаны единицы изменения ПИ. Более вероятно, что это дБмкВ/Мгц, 4. Значения в скобках приблизительно соответствуют порогу чувствительности измерительных средств. Действительные уровни, по-видимому, меньше указанных. 5. Знак минус , етоящий справа от средних значений, показывает, что действительные значения, по-видимому, ниже приведенных в таблице (уровень помех не превышал порога чувствительности измерительных средств). 6. Напряжения питания устройств: -1-5 В - ТТЛ и ДТЛ, -5,2 В - Лэс, -{-3,6 В - РТЛ.

большими амплитудами рабочих импульсов, содержащие ограниченное число микросхем, имеющие небольшие , размеры и ограниченную длину проводников. Из таблицы видно, что:

- помехи, создаваемые интегральными микросхемами, имеют достаточно высокие уровни, поэтому выбором соответствующего типа логики можно лишь уменьшить, но не устранить их влияние;

- логика с эмиттерными связями (ЛЭС)- является достаточно быстродействующей, сравнима с. резисторно-транзисторной логикой (РТЛ) и создает наиме ьшие уровни помех;

- транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) дает уровни шума на 20 дБ, а диодно-транзисторная (ДТЛ) -

на 10 дБ большие, чем у РТЛ и ЛЭС, поэтому ТТЛ наименее пригодна для схем, в которых требуются низкие уровни шума.

Восприимчивость ключевых схем к шумовым помехам характеризуется двумя параметрами: исправляющей способностью и помехоустойчивоетью *).

Исправляющая способность ключевой схемы определяется как такой уровень импульса шума (в вольтах) на входе этой схемы (находящейся в наиболее чувствительном к помехам состоянии), которая вызывает ее ложное срабатывание. Помехоустойчивость ключа является мерой его невосприимчивости к шуму, создаваемому другими ключами:

Помехоустойчивость = Исправляющая способность-100%

Максимальный размах логического сиги.

Перекрестные помехи в цифровых устройствах могут возникать либо внутри микросхем, либо во внешних по отношению к ним цепях устройства, а также в кабелях и разъемах.

Поскольку развязки в полупроводниковых интегральных микросхемах невелики, возможно возникновение внутренних перекрестных помех за счет образования паразитных связей между входами и выходами различных ключей, размещенных в одном и том же корпусе.

Одним из средств уменьшения этих помех может быть заземление незадействованных выводов микросхем или подключение их к источнику напряжения смещения.

Шум, поступающий на вход ключа (имеющий обычно форму дифференцированных импульсов, соответствующих началу и концу информационного сигнала), проникает на выход или на другие его входы, не вызывая срабатывания. Однако, пройдя через последовательный ряд ключевых элементов, шум может быть усилен до такого уровня, при котором произойдет ложное срабатывание одного из них, т. е. возникнет ошибочная информация.

*) Стандартизованные определения терминов исправляющая способность (noise margin) и помехоустойчивость (noise immunity) приведены соответственно в ГОСТ 17657-72. Аппаратура передачи данных (АПД). Термины и определения и в ГОСТ 19542-74. Машины вычислительные. Помехи. Термины и определения . (Прим. пер.)

в цифровых вычислительных системах находят широкое применение магнитные материалы. Магнитные ленты, диски или барабаны используются во входных и выходных устройствах в качестве средств накопления информации, а магнитные сердечники - в сдвиговых регистрах; дешифраторах, буферных накопителях и блоках памяти. Поскольку плотность магнитного потока и масса магнитного материала в названных носителях и устройствах невелики, последние оказываются весьма чувствительными к воздействию посторонних магнитных полей. Например, поле постоянного тока может вызвать переход всех сердечников устройства в одинаковое состояние, а поле переменного тока - стереть записанную на магнитоносителе информацию. Скачки магнитного поля могут привести к появлению ложных или исчезновению рабочих информационных импульСов. Поэтому системы, где используются магнитные носители информации, должны быть надежно защищены от магнитных полей.

Известно, что статический заряд, имеющийся на руках монтажника или оператора, может привести к потере работоспособности некоторых типов диодов и транзисторов. Однако, когда полупроводниковые приборы уже установлены в изделие, влияние такого заряда благодаря относительно низкому сопротивлению цепей, в которые они включены, в значительной степени уменьшается. Несмотря на это, ухудшение работы ЭВМ бозможно из-за статического заряда, накопленного на пластмассовых кожухах блоков, в которых устанавливаются логические узлы.

Поскольку в один модуль может входить несколько функциональных цепей, в каждом модуле должен быть установлен конденсатор развязки по питанию. Однако и при наличии таких конденсаторов помехи могут возникать из-за токов, попадающих из земляной шины модуля в общую земляную шину устройства, а также из-за сигнальных токов, текущих через развязывающие конденсаторы.

Высокая скорость перехода логических элементов из одного состояния в другое предъявляет серьезные требования к источнику питания. Знание этой скорости позволяет проектировщику системы ориентировочно рассчитать допустимые емкость развязывающего конденсатора и сопротивление цепи земля системы.

Б модулях, выполненных в виде печатных узлов, для