Справочники периодически пополняются вновь освоенными промышленностью микросхемами и дают полную информацию о микросхемах.

Здесь приводятся лишь краткие сведения о некоторых типах гибридных пленочных микросхем, чтобы показать на конкретных примерах различные схемы, конструкции и возможности гибридных пленочных микросхем.

Рис. 18.11. Общий вид микросхемы серии 201.

10-6С>-

fio-

Рис. 18.12. Принципиальная схема микросхемы 2ЛБ011.

Приводимые ниже микросхемы предназначены для построения логических и арифметических узлов цифровых вычислительных машин и устройств цифровой автоматики. Они могут работать при температуре окружающей среды от -60 до +70° С и относительной влажности воздуха до 98%. Микросхемы выдерживают вибрации в диапазоне частот от 5 до 5000 Гц с ускорением до 40 g, многократные удары с ускорением до 150 g, одиночные удары с ускорением до 1000 g, а также линейные ускорения до 150 g.

Микросхемы механически крепятся в узлах и блоках с помощью только своих выводов, пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса. Исключение составляют микросхемы в корпусах пенального типа с выводами в одну сторону, которые необ-

ходимо дополнительно крепить за корпус, например с помощью эпок сидного клея.

Приводимые сведения о микросхемах являются ориентировочными и при практическом использовании микросхем должны уточняться с помощью официальных справочников.

Микросхемы серии 201 выполнены на толстых пленках и образуют систему логических элементов с непосредственными связями (схемы ИЛИ, ИЛИ - НЕ и др.).

180* Росная раска гуо

Рис. 18.13. Общий вид микросхемы серии 203.

---OS

6о-So-

♦о-1-

Рис. 18.14. Принципиальная схема микросхемы 2ЛБ031.

Напряжение питания +4 В ± 10%. Мощность, потребляемая от источников питания, 5-30 мВт. Основные электрические параметры при 20° С: ток коллектора закрытого инвертора менее 20 мкА, напряжение на выходе открытого инвертора в режиме насыщения менее 0,3 В, время задержки не более 100 не, нагрузочная способность-от 4 до 8, помехоустойчивость-около 0,3 В.

Микросхемы выполнены в квадратном металлополимерном корпусе размером 11,6X11,6X4,. мм (рис. 18.11), вес микросхем не более 1,5 г. Плотность упаковки - около 25 эл/см.

Принципиальная схема микросхемы типа 2ЛБ011 серии 201 приведена на рис. 18.12.

Микросхемы серии 203 выполнены на тонких пленках и образуют систему логических элементов с диодно-транзисторной логи. кой (схемы плечо триггера , И-ИЛИ -НЕ, И - ИЛИ и др.)

Напряжение питания - 6,3 В ± 5%. Мощность, потребляемая от источника питания, менее 35 мВт. Основные электрические параметры при 20° С: значение выходного уровня логического нуля от 1,4 до 2,6 В, значение выходного уровня логической единицы от -0,9 до +0,18 В, время задержки менее 420 не, нагрузочная способность от 6 до 8.

Микросхемы выполнены в круглом металлостеклянном корпусе диаметром 11 мм и высотой 4 мм (рис. 18.13), масса микросхем не более 1,5 г. Плотность упаковки-около 20 эл/см.

о о о о о о о

о о о о о о о

Рис. 18.15. Общий вид микросхемы серии 204.

10 11

Рис. 18.16. Принципиальная схема микросхемы 2ТК041.

Принципиальная схема микросхемы типа 2ЛБ031 серии 203 приведена на рис. 18.14.

Микросхемы серии 204 выполнены на тонких пленках и образуют системы логических элементов с резистивио-емкостными связями (схемы триггер , ИЛИ - НЕ, И - НЕ и др.).

Напряжение питания 4 В ±10%. Мощность, потребляемая от источника питания, 20-70 мВт. Время задержки не более 100 не, нагрузочная способность до 10, помехоустойчивость 0,2 В.

Микросхемы выполнены в прямоугольном металлополимерном корпусе размером 16,7X10,7X3,5 мм (рис. 18.15), масса микросхем не более 1,5 г. Плотность упаковки-около 40 эл/см.

Принципиальная схема микросхемы типа 2TK04I серии 204 приведена на рис. 18.16.