тырех базовых логических элементов ИЛИ--НЕ (рис. 18.40), выполненных в общем корпусе и соединенных по схеме триггера, полусумматора и т. п. (рис. 18.41).

Основные электрические параметры микросхем: время задержки распространения сигнала-400+500 не, рассеиваемая мощность- менее 2 мВт, коэффициент нагрузки-4+50, напряжение питания 4 В ± 10%; помехоустойчивость - 0,15+0,7 В.

Микросхемы выпускаются в металлостеклянных круглых (см. рис. 18.27) или металлополимерпых прямоугольных корпусах (см. рис. 18.11). Масса микросхем-1,6 г. Рабочий диапазон температур от -СО до +85° С.

Микросхемы серии 121. Кремниевые полупроводниковые микросхемы с диодно-транзисторными связями серии 121 предназначены для работы в блоках быстродействующих ЦВМ.

Основные электрические параметры микросхем: средняя задержка распространения сигнала - 35 - 50 не, рассеиваемая мощность-до 20 мВт, коэффициент нагрузки 4-20, напряжение питания 5 В ± 10%, помехоустойчивость не менее 0,9 В.

41 о

Рис. 18.39 Модуль Р.

Bxodi

Выход о

Bxodi

о -о Выход

Вход г

Bxodi

о [Ъ --о Выход

Рис. 18 40. Принципиальная электрическая схема базового логического элемента микросхем серий 113 и 114 (а) и его разновидности (б).

Микросхемы выпускаются в металлостеклянных круглых илн металлостеклянных прямоугольных корпусах. Масса микросхем - около 1 г.

На рис. 18.42 приведена принципиальная схема микросхемы типа 1ЛБ211 серии-121.

Микросхемы серии 104. Кремниевые полупроводниковые микросхемы с диодно-транзнсторными связями серии 104 предназначены для работы в логических узлах ЦВМ и узлах автоматики.

11 9 lb II S 10

с 9 P

14- 345676

13 12 II 9 10

2 3 5 6 71Г в 1 г г *5 7/*

Рис. 18.41. Микросхемы серий 113 и 114:

а -микросхема 1ЛБ131-четыре двухвходовые схемы ИЛИ-НЕ с возможностью расширения; 6 -микросхема 1ЛБ132-две двухвходовые схемы ИЛИ-НЕ с возможностью расширения; о -микросхема 1ЛБ133-двухвходовая схема ИЛИ-НЕ и трехвходовая схема ИЛИ-НЕ с большой нагрузочной способностьки е-микросхема 1ЛЫ 34 -трехвходовая схема ИЛИ-НЕ о большой нагрузочной способностью; й -микросхема 1ЛБ135 -расширитель и двухвходовая схема ИЛИ-НЕ; е-микросхема 1ЛБ131-полусумматор; ж-микросхема 1ТР131 -триггер и двухвходовая схема ИЛИ-НЕ о возможностью расширения.

Основные электрические параметры микросхем: среднее вреня

задержки распространения сигнала -50 не, рассеиваемая мощность 20 мВт, коэффициент нагрузки-5, напряжение питания 6,3 В ±

Рис. 18.42. Принципиальная электрическая схема микросхемы типа 1ЛБ211 серии 121.

± 10%. Помехоустойчивость 0,5 В. Микросхемы выпускаются в металлокерамических прямоугольных корпусах. Масса микросхем 0,5 г.

Рис. 18.43. Микросхема типа 1ЛБ044

Принципиальная схема основного логического элемента серии 104-микросхемы типа 1ЛБ044 приведена на рис. 18.43.

Особенности компоновки полупроводниковых микросхем в узлы и блоки

Конструкции узлов и блоков с полупроводниковыми микросхемами должны иметь высокую надежность монтажных соединений, соответствующую надежности полупроводниковых микросхем, т. е. не хуже Я= Ю 1/ч на одно соединение; быть ремонтопригодными