Меню
Главная
Прикосновение космоса
Человек в космосе
Познаем вселенную
Космонавт
Из авиации в ракеты
Луноход
Первые полеты в космос
Баллистические ракеты
Тепло в космосе
Аэродром
Полёт человека
Ракеты
Кандидаты наса
Космическое будущее
Разработка двигателей
Сатурн-аполлон
Год вне земли
Старт
Подготовки космонавтов
Первые полеты в космос
Психология
Оборудование
Модель ракеты
|
Космонавтика Экранирование высокочастотных катушек Затем определяется половина производственного допуска на параметр где51 Д ТГ -квадратичное суммирование половин полей допу- 1=1 \ N J сков на старение, влажность и температуру. При крайних температурах рабочего диапазона поля рассеивания температурных погрешностей различны, но эти различия обычно невелики. Поэтому можно определять половину поля производственного допуска при наибольшей величине температурного допуска. 19.6. РАСЧЕТ ДОПУСКОВ НА ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕМЕНТОВ Производственный разброс параметров схемных элементов в пределах поля допуска носит случайный характер [6, 9, 12]. Поэтому для расчета допусков нужно знать законы распределения параметров элементов или хотя бы количественные значения коэффициентов щ и ki, по которым уже можно рассчитывать допуски с высокой точностью. Статистический материал, накопленный и опубликованный в последние годы, позволяет считать, что: 1. Распределение параметров ламп подчинено нормальному закону Oj = О, fej = I [6, 3]; 2. Распределения большинства параметров транзисторов не соответствуют нормальному закону, а относительные коэффициенты распределений щ и ki отдельных партий имеют значительный разброс [12]. В табл. 19.2 приведены предельные значения коэффициента Oj Некоторых параметров транзисторов (статистическая совокупность 2500 шт.) при включении их по схеме с общей базой (ОБ). ТАБЛИЦА 19.2 Предельные значения
Ив таблицы видно, что щ отдельных партий транзисторов имеют значительный разброс. Поэтому при расчете средних значений нужно брать предельные значения Cj с требуемой надежностью, ориентируясь на худший случай. Расчет средних значений при включении транзистора с общим эмиттером (ОЭ) или общим коллектором (ОК) ведется с учетом следующих равенств [12]: °(220к)=° (220э) = ° СггоБ); °(120б) = °(120э); (i2Ok) = 0; йр (Рг=0,997) =-0,85; орйСпоэ); = (11 об). (19.27) По указанной статистической совокупности с надежностью 0,9973 рассчитаны предельные значения относительного коэффициента рассеивания ki некоторых параметров транзисторов, включенных по схеме с общей базой [12] (табл. 19.3). таблица 19.3 Предельные значения kj
Этими значениями fej следует пользоваться при расчете относительной стандартной погрешности ФУ на транзисторах. При включении транзистора с ОЭ или ОК пересчет fej производится по формулам 12]: *(120б) = (120э); *(!i2Ok) = 0- (19.28) Если в паспортных данных указаны допуски по а, то по табличному fe определяется где о *p=fe макс + <*мия (1 -Рмакс) (1 -Mim) (1-ао) (19.29) Если даны допуски по р, тогда определяются Рмакс мин - 1 -\ Рмакс 1 + Рмин а затем по формуле (19.28) определяется fep и *(U03) = V (19.30) При расчете относительной стандартной погрешности параметров ФУ с надежностью, отличной от 0,9973, вводят коэффициент гарантированной надежности у. 3. Распределения параметров резисторов и конденсаторов данного типа наиболее высоких классов точности подчинены нормальному закону. 4. Распределения параметров резисторов и конденсаторов низших классов точности обычно отличаются от нормального закона из-за выборки резисторов и конденсаторов повышенных классов точности из общих партий с более широкими допусками. Поэтому для деталей второго класса точности принимают ki = = 1,33, а для деталей третьего класса точности ki = 2,1 [18]. Уравнение производственной погрешности заданного параметра ФУ L г (19.31) Численные характеристики производственной погрешности параметров ФУ; а) среднее значение (19.32) б) половина поля допуска /+1 Ai, kj6 где A (19.33) - середина поля допуска на 9.; а.- коэффициент отно- сительной асимметрии; fej, kj, /г, -коэффициенты относительного рассеивания распределений параметров д, д и коэффициент корреляции между параметрами д и gj. Вначале по уравнению (19.31) проводится анализ степени влияния погрешностей схемных элементов на погрешность заданного параметра узла и по допуску на него выбираются допуски на схемные элементы. Затем по формуле (19.32) определяется середина по- ля производственного допуска Myj j заданного параметра узла. Допуски на параметры подавляющей части схемных элементов сим- д() =0 и Oj = 0. Mi ыетричны, поэтому |