-60 -40 -го о ZO 40 -тк

Относительные изменения емкости и тангенса угла потерь:

J К75-14 и К75-18; 2 - К75-17 н K75-J9; i - К75-11 и К75-20

О 10 Z0 30 40 so 60 7, С

Зависимость постоянной времени конденсаторов от температуры: / K75-J9; 2 - К75-И: i - К75-17; 4 - K75-1J и К75-20; 5 - К75-18

Параметры допустимых режимов

Примечания: ). Амплитуда обратного полупериода напряжения Д-т конденсаторов К75-14 не должна превышать 20 % зарядаого напряжения.

2. Во время паузы конденсаторы K75-I4 находятся под напряжением постоянного тока не более 2500 В.

3. Длительность разряда определяют как время, за которое конденсатор разряжается до уровня 0,1 зарядного напряжения.

При этом N, : (в непрерывном режиме) при Т указаны па рисунках.

Конденсаторы K75-I8 допускают эксалуатаиию в следующем импульсном режиме: С/ д = 1800 В, / = 1600 А. f,ap = 1,0 с. ; = 250 мкс при Кразр = 0,5 Ом, (р = 0,5 мин.

10 6

6 if

*,Ч,Гц 5,9

Зависимость минимальной па-работки конденсаторов от ча-стоть[ повторения импульсов при разряде на цепь из дросселя Z, = 8 мкГн и резистора = I и 0,5 Ом соотвзтствен-0 - сплошные и штриховые линии

10 6 Ч

10 6

О 1 1,5 %7f ,ru, 5,S

Зависимость минимальной наработки конденсаторов от частоты повторения имиу.чьсов при разряде на цепь из дросселя L = 2 мкГн и . резистора Д,1 = 1,5 и 0,5 Ом соответственно - сплошные и штриховые линии

о 2Q 40 60 80f ,ru,110

10 16

0,03 0,3 0,9 1,5 2,1 2,7Г ГЦ

Зависимости минимальной наработки конденсаторов от частоты повторения импульсов при разряде на цепь из дросселя L-7 мкГн и резистора Дн = 0,2 и 0,5 Ом соответственно - сплошные и штриховые линии

Зависимости минимальной наработки конленсаторов от частоты повторения импульсов при разряде на цепь из дросселя L= 14 мкГн и резистора Д = 2 и 0,8 Ом соответс гвен-но - сплошные и штриховые линии

Зависимость минимальной наработки конденсаторов от частоты повторения импульсов при разряде на пень из дросселя L-= 5 мкГн и резистора R - 0,5 и 2,5 Ом соответственно - сплошные и штриховые линии