= tfo% п = 6.3 + 100 В. ДС = -jo +5% для

1/нсмп=160 В; при +85С ДС* = +30% для = 6,3 + 100 В,

+ 40% для Сном.п = 160 В.

го о

во 40 го о го 40 bot°cs5

Относительное изменение емкости для t/ oM п = = 50 В

Относительные изменения емкости и тангенса угла потерь для Сномп-] - 6,3-16 В; 2 - 25- ЮО В; J - 160 В

Тангенс угла потерь в нормальных условиях при 50 Гц

Ток утечкн lyr в иормалЕЛЫх усломях

Сном яом мхФВ

/рт, мкА

До 105

До 1610J Свыше ЮЗ

0,02 Сяом ЯОМ D

]/ с ном яоч.п ном ном п 0,03 C q ном п 2/ Сном ном п

Ifj при +85 не более З-кратных указанных выше значений.

Полное пшротналеше конденсат<фов К50-20 в нормальных условиях

при 50 Гц

Зависимость эквивалентного активного по-стедовательного сопротивления от частоты

и температуры; --50В X ЮООмкФ,----508 х 2200мкФ

Зависимость полного сопротивления при + 85Х

; - ItiO в X 330 мкФ. 2-100 в X 470 мжФ, i -

50 В X 1500 мкФ; 4 - 10 В х 1500 мкФ; 5 - 25 В х X 3300 м*;Ф, 6-16 В X 10000 мкФ, 7-6,3 В х X 22000 мкФ

Зависимость полного сопротивления при

-60С:

/ - 160 В X 330 мкФ; 2-100 В х 470 МкФ; J -50 В X 1500 мкФ; 4 - 10 В х 1500 мкФ; J - 25 В х X 3300 мкФ; 6-16 В X 10000 мкФ; 7-63 В х X 22000 мкФ

0,15 0,10 0,05 О

-бОХ

Параметры допустимых режимов. Параметры имнульсною режима: = 0,01 -г 100 кГц; Гф = 10 . 10 *, 10 С.

Конденсаторы 50 В х 1000 мкФ и 50 В х 2200 мкФ допускают воздействие обрапгой полярности 2 В за время г = 0.1 с; 1 5 А для 50 В X 1000 мкФ и 8 А для 50 В х 2200 мкФ