Таблица 1.5. Некоторые типы испытательных импульсов, генерируемых высоковольтнымн устаиовками

вой импульс

Срезанный

ГИН со срезающим разрядником

Режим КЗ ЛЗП

гит с .резонансным контуром

Импульсы коммутационных лере-йапряжений

Апериодический

ал r,f 700...200МКС-

Колебательный затухающий

Колебательный при

\tli~7...ffMC

uft)

Испытательный трансформатор с использова~ нием встречного включения колебательных контуров

Колебательный наложенный на рабочее напряжение

u(t)

Колебательный при работе разряяиика

Каскад трансформаторов с последовательным возбуждением

о/} 0,6 12 7,ff 2,0 ЪЛ-

Рис. 1.23. Зависимость функции изменения вертикальной составляющей напряженности электрического по- ля от соотношения ft/r

2,5 f/P

Рис. 1.24. Зависимость функции ослабления напряженности магнитного поля по оси витка с током при удалении от его центра

разрядного контура, м; F(r/iR) - функция ослабления напряженности магнитного поля по оси витка с током при удалении от его центра (рис. 1.24).

Выражения (1.40) к (1.41) с некоторым приближением описывают ЭМО в окружающем высоковольтные установки пространстве. Электромагнитная обстановка ниже уровня земли в районах действия высоковольтных установок сложная. На ее формирование оказывают влияние поля излучения разрядных контуров, а также токи растекания от места разряда к заземлителям установок.

1.3. УПРОЩЕННАЯ МОДЕЛЬ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЭМП С РЭС

Для обеспечения требований ЭМС и стойкости РЭС к воздействию МЭМП помимо выявления источников электромагнитных излучений и характеристик неблагоприятной ЭМО, создаваемой ими в месте расположения РЭС, не менее важным является определение путей и каналов связи, по которым происходит влияние МЭМП на функционирование РЭС. Иными словами, необходимо определить паразитные электромагнитные связи источника МЭМП и -РЭС. При этом из всего многообразия таких электромагнитных связей необходимо выбрать главные, которые оказывают в основном неблагоприятное влияние на функционирование РЭС и обеспечивают основные пути проникновения МЭ1М1П.

Обеспечение нормальной работы РЭС требует наличия у них большого количества функциональных связей, назначение которых - обеспечить энергетическое питание РЭС, прием и передачу информации и команд, объединение отдельных РЭС в многофункциональные системы. Эти функциональные связи, как правило, и являются основными путями проникновения МЭМП при взаимодействии с РЭС.

На рис. 1.25 приведена обобщенная структурная схема такого взаимодействия М!ЭМП и РЭС, в которой можно выделить два ви-

тщные элеитромаенитные помехи

Антенны

ПроВоднь/е и линии сВяЗи

Система заземлений и общих точек

Kopni/ca--эираны

Устройст-даДлоки и узлы РЭС

Элементная ffaaa РЭС

Рис. 1.25. Обобщенная схема воздействия МЭМП на РЭС

да воздействия - прямое 1 и косвенное 2. Прямое воздействие характеризуется непосредственным влиянием электромагнитных полей источников помех на РЭС или их элементы, которое приводит к нарушению или ухудшению качества функционирования этих средств.

Результат косвенного воздействия на РЭС сопровождается теми же последствиями, что и прямое воздействие. Но это воздействие может осуществляться только через составные элементы РЭС, когда они, выступая рецепторами электромагнитной энергии, трансформируют ее и затем уже сами по себе являются для элементов РЭС источниками МЭМП, создавая тем самым внутреннюю неблагоприятную ЭМО.

Одним из наиболее очевидных путей проникновения МЭМП в системы РЭС являются проводные, кабельные и межблочные линии связи РЭС, всевозможные проводники, провода сети, а также передающие и приемные антенны. В проводниках, проходящих через области с неблагоприятной ЭМО, индуктируются напряжения и токи (наводки), которые впоследствии передаются схеме. Главный вопрос обеспечения стойкости РЭС к воздействию МЭМП заключается в том, чтобы защитить проводники от неблагоприятного влияния или обеспечить соответствующие развязки благодаря которым наводки будут отведены с проводника прежде, чем они попадут в чувствительные к помехам схемы. Следует отметить, что антенны РЭС ввиду их функционального назначения - рецепторов и излучателей электромагнитной энергии, не могут быть сами защищены от неблагоприятного влияния МЭМП и требуют только специальных схем защиты.

Там, где токи от различных схем или посторонних источников проходят через общее для ряда блоков или узлов РЭС сопротивление (как, например, сопротивление заземления или общее сопротивление от неско..1ьких схем на общий корпус РЭС), РЭС шти