Космонавтика  Многослойные коспуса-экраны рэс 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83

их группа будут подвержены гальваническому влиянию токов помех. При этом падение напряжения на общем сопротивлении будет оказывать неблагоприятное воздействие на все схемы, связанные с ним.

Чувствительная к электромагнитному влиянию элементная база РЭС может подвергаться также воздействию МЭМП непосредственно через корпуса - экраны этих средств и особенно через различные электрические неоднородности в них (например, отверстия, щели, стыки). Поэтому при осуществлении мероприятий по повышению стойкости РЭС к воздействию МЭМП необходимо рассматривать вопросы экранирования в тесной связи с влиянием на защитные свойства корпусов - экранов РЭС электрических неодно-родностей и создание Ими в экранированном пространстве опасных для чувствительных к помехам элементов РЭС зон с повышенным уровнем электромагнитных полей.

Как правило, воздействие МЭМП на РЭС по ранее перечисленным путям осуществляется комплексно, в конечном итоге суммируясь или повторяясь на отдельных элементах и приводя к ухудшению или нарушению их функционирования.

1.4. МЕТОДЫ И СПОСОБЫ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ РЭС К ВОЗДЕЙСТВИЮ МЭМП

Реализация требований по обеспечению стойкости РЭС к воздействию МЭМП требует: подготовки данных об ЭМО; уточнения влияния МЭМП по основным путям их проникновения; пересчета этих данных в токи и напряжения в критических точках аппаратуры; разработки критериев оценки стойкости РЭС к воздействию МЭМП; сравнения полученных характеристик помех в цепях РЭС с допустимыми значениями помех и проведения оценки ухудшения функционирования этих средств в соответствии с разработанными критериями. Иными словами, проведение работ по обеспечению требований стойкости РЭС к воздействию МЭМП связано с подготовкой и анализом большого объема данных как о характеристиках МЭМП в месте расположениях РЭС, так и о характеристиках самих РЭС, их схем и элементной базы.

Во многих случаях из-за неопределенности сведений о реальной ЭМО необходимо принять усредненные, наихудшие или максимально ожидаемые характеристики помехи и по имеющимся данным рассчитать ее временные, частотные, энергетические и вероятностные характеристики. Полученная при этом информация является исходной для выполнения всех последующих расчетов и моделирования работы РЭС в заданной помеховой ситуации.

При этом наряду с выбором усредненных значений амплитудных характеристик МЭМП, которые могут воздействовать на РЭС, немаловажным является определение и правильный выбор их временных параметров и формы воздействующего сигнала. Если источник МЭМП известен заранее, то форма излучаемой им помехи выбирается в соответствии с ее источником. Если же стойкость



Таблица 1.6. Времеииью а спектральные характеристики некоторых импульсных .сигналов

Временные характеристики

Спектральные характеристики

дс(0=ехр(-а<)

с-Ь/со

x(t) =ехр(-CiO-ех;р(-CzO. a2>ci>0

aCt)


S(/co) =

-л/2

x(t)texpi-at)

x(t} 1

5(/<u)==

(a + /(u)


xif) = ехр i-at) sin aot


(а-[-/ш) + со2



(I лри 1<<т /2. 1 О при U>W2

1-III/(W2)] при kKW2, .0 при U>W2

cos(pt мри UITii/2, 0 при />т /2

x(/)=expMW]

0 t


0 . t

5(/ш) =

2a a + (o

,1 fi>

SCO))

Щ \ >

-----1

5(/ш)=Ти.

sin (шТц/2) (0T /2

S(/o) = -

- sin(mra/4) (оТи/4 -


SO(o) =

2я cos (шТц/2)

S (/ (o) a 1/231 exp (- o (o2/2)

Sft4)



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83