Космонавтика  Структуры полупроводниковых преобразователей 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89


60 70 t,MHC

100 -

Рис. 4. Переходные процессы при скачке сопротивления нагрузки: А= =5 дБ; йз=0,8; сйс=62-103 1/с

Частота переключения, коэффициент заполнения импульсов и коэффициент передачи Кл изменялись в процессе расчета.

Для выяснения влияния частоты переключения на переходный процесс использовалась исходная ЛАХ НЧ, в которой Кш определялся при кз=1: Km=UBux/2Um- Это позволило, задавшись значением параметра А (см.рнс.З), при известных значениях КшКо.с и юо изменять в требуемых пределах отношение <uk/wc, минимальное значение которого равно я.

На рис. 4 и 5 показаны кривые переходных процессов в рассматриваемой схеме при /Сд=17,4, что обеспечивает Л=5 дБ.

Процессы происходят при скачке сопротивления нагрузки с Ri= =7 Ом до 7?2 = 14 Ом, 3=0,8 (см. рис. 4 н табл. 1) и кз=0,2 (см. рис. 5). Изменение сопротивления происходит в момент начала импульса иа входе НЧ.

На рис. 6 и 7 показаны кривые переходных процессов при Кп= = 31, что обеспечивает Л=14 дБ; остальные параметры схемы и условия переходных процессов такие же, как и для рис. 4 и 5.

На рис. 8 показаны кривые процессов при д=17,4 {А-5 дБ), скачке входного напряжения 6 В и исходном коэффициенте заполнения 0,5. Скачок напряжения происходит в начале импульса.

Анализ проведенных расчетов показывает, что непрерывная и дискретная модели при близких частотах коммутации и среза ((Ок/сйс 3,2 ... 6) приводят не только к количественному, но и качественному различию пере-5-5084 65




Т=3,4 и непр. модель

Рис. 5. Переходные процессы при скачке сопротивления нагрузки: А= = 5 дБ; Аа=0,2

Таблица 1

75 t,MKC

Т, мкс

2/Г с

21,6

4.7]

16,2

6,28

9,55

ходных процессов. При 30>(Ок/(Ос>6 процессы, описы ваемые той и другой моделью, качественно одинаковы, а при достаточной протяженности участка -20 дБ/декада (Л 14 дБ) и некоторых значениях кз процессы могут быть близкими и количественно. Наконец, при достаточно удаленных частотах Ик и (Ос(сйк/<Вс30) совпадение результатов, полученных по обеим моделям, достигается с высокой точностью при любой длине участка -20 дБ/декада левее частоты среза и произвольном кз.

Анализ показывает, что передаточные функции систем по рис. 1 практически совпадают при воздействии со стороны входного напряжения, если частоты Ис, 1/т и ио

300 -

100 -

.7=15,4

Г-9,63


T-Z и мепр.модель

t,MKC

Рис. 6. Переходные процессы при скачке сопротивления нагрузки: А= = 14 дБ; йз=0,8; (Вс=104-103 1/с



ли tut, MB


t,MKC

Рис. 7, Переходные процессы при скачке сопротивления нагрузки:

Л =14 дБ; йз=0,2

(см. рис. 3) выбраны одинаковыми. Такой же результат получается для ИВЭП с двузвенным фильтром (см. рис.2).

Теперь выясним, каким образом выбор структуры виляет на характер переходных процессов при скачках сопротивления нагрузки. Для этого проведем анализ схем с однозвенным фильтром, полагая, что во всех схемах передаточная функция последовательного звена в области низких частот равна единице.

Сравнение схем проведем, используя операторные изображения выходных напряжений при скачках сопротив-

Рис. 8. Переходные Процессы при скачке входного напряжения: А=5 дБ; 3=0,5

100 -




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89