АВ1фАВзф ... #AB2,-i и АВ2фАВФ ... тАВг (рис. 2,в), что обеспечивает случайный характер интервалов дискретизации Го,2,(-1, Тй2,и огл+ь ... сигнала Yp2{t) (рис. 2,<Э) по отношению к периоду Г01 следования импульсов Ypi{t) на выходе ведущего ЧШИМ. В результате исключается погрешность МУ из-за возможного при ча-стотно-широтно-импульсной модуляции совпадения частот импульсных потоков Ypi(t) и Yp2{t). Дальнейшее преобразование импульсов с выхода РЭ\, РЭ2 осуществляется с помощью звена Р, знак выходного сигнала Квых(0 которого (рис. 2,е) соответствует знаку произведения импульсов Ypi{t) и Yp2{t) (рис. 2,а, д), а полезная составляющая при достаточно большом по отношению к частоте импульсов Yp2{t) времени усреднения сигнала Увых(0 равна

где Кии Кп2 - коэффициенты пропорционального усиления ведомого и ведущего ЧШИМ соответственно, принятые на рис. 1 равными единице.

Принципиальная схема МУ показана на рис. 3. Элементы Ии И2 реализованы на операционных усилителях (ОУ) DAu DA2, РЭи РЭ2 на ОУ ОАз, DA4 с положительной ОС по напряжению и содержат усилители мощности VT2 ... VT5 с ограничителями амплитуды импульсов VDe, VDy. Генератор ГКИ содержит дифференцирующий конденсатор Ci и диод VDi. Модулятор AM реализован на транзисторе VTi, который при отсутствии импульса на выходе ГКИ находится в насыщенном состоянии. Блок Р включает в себя согласующие транзисторы VTe, VTi, микросхемы ОАь, DAe типа 2И-НЕ и выходной компаратор на основе ОУ ОЛ?. Коэффициенты передачи модуляторов Кп\=Рз1Р1 и

Кп2-Я4/Р2.

На рис. 4 показаны экспериментальные статические характеристики МУ для режима квадратичного преобразования входного сигнала Уо=/(1 = 2 = ) (рис. 4,а), а также для режима умножения двух аналоговых сигналов Fo = f(2, Ji = const) (рис. 4,6) и Уо=/(Ji, X2 = const) (рис. 4,6).

Порог чувствительности МУ однозначно определяется параметрами применяемых ОУ DAj и DA2 (рис. 3). Характеристика Y(j=f(X2, Xi=0) и Уо=/(Xi, Х2=0) для диапазона температур О ... 60°С приведена на рис. 5. Частоты автоколебаний ведущего и ведомого ЧШИМ при Xi = = Х2 = 0 соответственно равны 35 и 4 кГц. Полоса пропускания МУ не менее 20 Гц.

\Puc. 3. Принципиальная схема множительного устройства: Ш,...ВЛ4, ЛЛ7-К153УД1; DAi, ДЛб-К155ЛАЗ; КЛ,... VZ)4-KC162A; ИГ КГг, КГ4, КГа ... КГв-КТ315Г; УТъ, УГб, КГэ-КТ361Г; VDs-Д223; VDe. VDn, VjDio-КС170А; VDt., VDg-KC147A

-в -s -

о а)

6 х,в

Рис. 4. Статические характеристики множительного устройства: a-Yo=f{X); б-Уо=/№) при Xi=l,5; 2,5: 3,5; 6,5 В (1, 2, 3, 4 соответственно) и Xi=-l,5; -2,5; -3,5; -6,5 В (5, 6, 7, 8 соответственно); b-yo=f№) при J?2=l,5; 2,5; 3,5; 6,5 В {1, 2, 3, 4 соответственно) и Х2=-1,5; -2,5; -3,5; -6,5 В (5, 6. 7. 8 соответственно)